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本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种基于自支撑GaN导电桥的紫外‑可见光双波长复合光电探测器，主旨在于解决传统氮化物基光电探测器只能实现紫外光(GaN)或可见光(InGaN)的单波长探测的问题，从下至上依次设置的支撑衬底(1)、缓冲层...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（衢州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（衢州）授权不得商用。

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