一种TiSe2-TiO2日盲探测器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于半导体紫外光电探测技术领域，具体涉及一种TiSe<subgt;2</subgt;‑TiO<subgt;2</subgt;日盲探测器及其制备方法和应用。该TiSe<subgt;2</subgt;‑TiO<subgt;2</subgt;日盲光电探测器以二维过渡金属硫族化合物TiSe<subgt;2</subgt;为原材料，通过机械剥离得到TiSe<subgt;2</subgt;薄膜，转移至带有预电极的衬底上，然后采用激光辐照的方法，制备TiSe<subgt;2</subgt;‑TiO<subgt;2</subgt;横向异质结，进而构建得到。本发明专利技术以二维过渡金属硫族化合物TiSe<subgt;2</subgt;为原材料，首次创新提出了机械剥离和激光辐照相结合的方法，制备TiSe<subgt;2</subgt;‑TiO<subgt;2</subgt;横向异质结。采用激光辐照的方法，一方面可以通过调节激光功率和积分时间实现对不同厚度TiSe<subgt;2</subgt;不同程度的氧化，另一方面还可以借助扫描面积灵活控制器件面积；此外，该本发明专利技术操作简单，耗时短，原料廉价易得，安全环保，并且制得的异质结器件的光电探测性能优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体紫外光电探测，具体涉及一种tise2-tio2日盲探测器及其制备方法和应用。

技术介绍

1、紫外光电探测器（uv pds）已广泛应用于各种应用，如太空探索、臭氧传感、高级通信、远程控制和空气净化等。自从石墨烯被发现以来，由于其非凡的特性，科学界对二维（2d）材料产生了浓厚的兴趣。尽管基于体宽带隙半导体的紫外光电探测器表现出良好的响应，但由于吸收不良和表面悬空键，其光电探测性能随着其厚度减小到原子尺度而显著降低。

2、半导体技术的目标是创造高性能、低功率的光电器件。遗憾的是，许多pd需要大量的电力才能实现足够的探测能力，使得整个电路体积庞大，在目前的能源状况下经济上不可用。因此，人们迫切需要低功耗的高性能uv pd。近年来，基于二维材料的pd由于其独特的二维结构、电学和光学性能，表现出了优异的光响应特性。二维范德华 (vdw)异质结构是二维材料不断发展和演变的结果，不同于均匀的单一材料，由几种不同材料组成的异质结构具有各种可调节的能带结构，从而产生有趣的电学和光电特性，基于这些异质结构的uv pd取得了显著进展

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【技术保护点】

1.一种TiSe2-TiO2日盲光电探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，TiSe2薄膜厚度为17 nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，TiO2薄膜的厚度为12 nm-15 nm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，TiO2薄膜的厚度为14 nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，预电极为金电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，预电极的厚度为60 nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，衬底为S...

【技术特征摘要】

1.一种tise2-tio2日盲光电探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，tise2薄膜厚度为17 nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，tio2薄膜的厚度为12 nm-15 nm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，tio2薄膜的厚度为14 nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，预电极为金电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖霞霞，张慧凤，周杨波，付彬芸，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：