半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；层间绝缘膜，其具有接触孔，并设置于所述半导体基板的上方；第一合金层，其在所述接触孔的下方设置于所述半导体基板的上表面；氧化物层，其在所述接触孔中设置于所述第一合金层的上表面；阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述氧化物层的上方且具有导电性；以及插塞层，其在所述接触孔中设置在所述阻挡金属层的上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、在专利文献1中记载了在“接触孔”设置有“硅化物层”的半导体装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003-318396号公报

5、专利文献2：日本特开2007-335554号公报

6、专利文献3：日本特开2002-334850号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、优选在半导体装置的正面侧提高可靠性。

3、技术方案

4、在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；层间绝缘膜，其具有接触孔，并设置于所述半导体基板的上方；第一合金层，其在所述接触孔的下方设置于所述半导体基板的上表面；氧化物层，其在所述接触孔中设置于所述第一合金层的上表面；阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述氧化物层的上方且具有导电性；以及插塞层，其在所述接触孔中设置在所述阻挡金属层的上方。

5、所述氧化物层可以与所述第一合金层以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至6中任一项所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：洼内源宜，下沢慎，吉村尚，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：