【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所提供的实施例涉及在电子光学设备的操作配置范围内补偿该电子光学设备的子束的属性的变化。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，由于例如光学效应和附带粒子而引起的非期望图案缺陷在制作过程期间不可避免地出现在衬底(即，晶片)或掩模上，从而降低了良品率。因此，监测非期望图案缺陷的范围是制造ic芯片时的重要过程。更一般地，衬底或其他对象/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检测工具已经被用来检测对象(这些对象可以被称为样品)，例如，以检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜检查技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，使用最终减速步骤以相对较高的能量下的电子的初级电子束为目标，以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上。电子束被聚焦为样品上的探测光点。探测斑点处的材料结构和来自电子束的着陆电子之间的相互作用使得从表面发射信号电子，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。可以从样品的材料结构发射信号电子。通过扫描初级电子束作为样品表面上方的探测斑点，可以跨样品的表面发射信...
【技术保护点】
1.一种电子光学设备，用于将带电粒子的多束投射到样品，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中限定在所述板中的所述至少两个板中的所述孔径阵列各自具有一个或多个其他几何特性，每个其他几何特性被配置为对所述子束的对应其他目标属性施加扰动。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中不同的孔径阵列通过所述几何特性而被配置为：至少针对与所述目标属性相对应的扰动，施加依据所述范围内的所述参数而以不同方式变化的扰动。
4.根据任一前述权利要求所述的设备，其中所述控制器被配置为控制所施加的所述电势，使得由所述孔径阵列中的至少两个孔径阵列施加...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子光学设备，用于将带电粒子的多束投射到样品，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中限定在所述板中的所述至少两个板中的所述孔径阵列各自具有一个或多个其他几何特性，每个其他几何特性被配置为对所述子束的对应其他目标属性施加扰动。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中不同的孔径阵列通过所述几何特性而被配置为：至少针对与所述目标属性相对应的扰动，施加依据所述范围内的所述参数而以不同方式变化的扰动。
4.根据任一前述权利要求所述的设备，其中所述控制器被配置为控制所施加的所述电势，使得由所述孔径阵列中的至少两个孔径阵列施加的扰动至少针对与所述目标属性相对应的扰动在所述参数的所述范围的至少一部分内彼此抵消。
5.根据任一前述权利要求所述的设备，其中所述控制器被配置为控制所施加的所述电势，使得由所述孔径阵列中的至少两个孔径阵列施加的扰动至少针对与所述目标属性相对应的扰动在所述参数的所述范围的至少一部分内以累积方式产生贡献。
6.根据任一前述权利要求所述的设备，其中限定在所述板中的三个板中的所述孔径阵列具有所述几何特性，并且所述控制器被配置为施加和控制施加到所述板中的所有三个板的电势，使得所施加的相应扰动在所述设备的所述参数的所述范围内实质上共同补偿所述目标属性的所述变化。
7.根据任一前述权利要求所述的设备，还包括位于所述多个板的束上游的变化电子光学设备，所述变化电子光学设备被配置为对朝向所述样品导向的带电粒子施加电子光学扰动，所述扰动使得至少影响所...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·JJ·维兰德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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