【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于陶瓷制品的制备,具体涉及底足全釉的高硅质高级日用细瓷及其制备方法。
技术介绍
1、高级日用细瓷的吸水率小于0.5%,热稳定性在190℃投入20℃水中热交换一次不裂,釉面润泽津润,釉色和画面光彩,毛脚在平面上安稳。品质要高于普通瓷和细瓷。高硅质则是在配方中sio2占比达70%以上。
2、高硅质高级日用细瓷作为高端瓷器的代表,越来越受到喜爱,但是随着生活水平的提升和使用要求的升级,提高了对高硅质高级日用细瓷的品质要求,而现有的高硅质高级日用细瓷的底足的施釉仍旧存在很大问题,底足因位置的特殊性难以做到光滑细腻。光滑细腻的高硅质高级日用细瓷可以防止在使用过程中划伤餐桌等家具,减少污渍在底足的残存,提高手拿的舒适感觉,减少对皮肤的摩擦,同时提高产品的美观度。
3、目前,部分陶瓷厂家会对产品底足采取精抛工艺,但是依然不能做到绝对的光滑细腻,因此,底足的加工成为高硅质高级日用细瓷能否提升一个档次的关键因素。
4、cn115784707a公开了一种隐足建盏的制备工艺及其制备的隐足建盏,包括以下步骤:制备
...【技术保护点】
1.一种底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:步骤(2)素烧的烧成温度为1275~1305℃,烧成时间11~13h。
3.根据权利要求1所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:步骤(3)的高温釉料由以下重量百分含量的原料制成:石英15~22%、钾长石32~40%、钟乳石9~13%、氧化锆6~9%、生滑石3~6%、高岭土8~12%、陶瓷粉4~8%、氧化硼5~8%。
4.根据权利要求3所述的底足全釉的高硅质高级日用
...【技术特征摘要】
1.一种底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:步骤(2)素烧的烧成温度为1275~1305℃,烧成时间11~13h。
3.根据权利要求1所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:步骤(3)的高温釉料由以下重量百分含量的原料制成:石英15~22%、钾长石32~40%、钟乳石9~13%、氧化锆6~9%、生滑石3~6%、高岭土8~12%、陶瓷粉4~8%、氧化硼5~8%。
4.根据权利要求3所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:制成的高温釉料料浆的固含量为61~65wt.%,小于10μm的颗粒占颗粒总数的70~80%。
5.根据权利要求1所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法,其特征在于:步骤(3)的高温烧成温度1180~1200℃,烧成时间7~9h。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金钊,李赫,乔金飞,王健,司志磊,车心广,
申请(专利权)人:山东硅元新型材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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