【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到有机半导体薄膜检测，尤其涉及到一软体等离子刻蚀工艺及调控方法。
技术介绍
1、近年来，虽有一些复杂技术普遍应用于有机半导体薄膜的内部检测，但其都存在着缺点与局限性，故而难以全面了解分析半导体薄膜材料的结构及性能。针对于高精尖有机半导体薄膜的检测，多数有机半导体内部检测技术由于垂直分辨率较小，同时对于有机半导体薄膜样品的检测会导致样品内部结构的损坏，从而导致获取的数据量较少，无法高度还原薄膜的内部结构，以及无法满足高精尖薄膜内部检测技术需求。
2、由于聚合物薄膜通常具有与膜深度(亚层)相关的分子构象、链排列、结晶度和晶体尺寸等特征。它们与深度相关的成分、光学和电子性质有关。近年来，一些较为复杂的技术被广泛应用于聚合物薄膜的分析。例如，利用电子显微镜对聚合物薄膜切片进行成像，重建三维透射电子显微镜。研究了中子反射率和椭偏技术来表征深度分辨分量分布。另一方面，随着连续刻蚀技术和动态二次离子质谱技术以及x射线光电子能谱技术在光电聚合物薄膜上的成功应用。但这些方法存在实验装置复杂、操作时间长、信噪比低、信息量少等缺点。...
【技术保护点】
1.一软体等离子刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的软体等离子刻蚀工艺，其中被测样品被放置于近似全反射积分球函数的真空腔中。
3.根据权利要求2所述的软体等离子刻蚀工艺，其中所述被测样品被放置所述光纤、放电板、探头形成的光路中。
4.根据权利要求1至3任一所述的软体等离子刻蚀工艺，其中在上述步骤中，所述等离子体的反应活性组分能够从被测样品的上表面向下进行逐层刻蚀，以逐步暴露亚层，同时，副产物被抽出腔体。
5.根据权利要求4所述的软体等离子刻蚀工艺，其中在上述步骤中，所用等离子体为氧等离子体，其中...
【技术特征摘要】
1.一软体等离子刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的软体等离子刻蚀工艺，其中被测样品被放置于近似全反射积分球函数的真空腔中。
3.根据权利要求2所述的软体等离子刻蚀工艺，其中所述被测样品被放置所述光纤、放电板、探头形成的光路中。
4.根据权利要求1至3任一所述的软体等离子刻蚀工艺，其中在上述步骤中，所述等离子体的反应活性组分能够从被测样品的上表面向下进行逐层刻蚀，以逐步暴露亚层，同时，副产物被抽出腔体。
5.根据权利要求4所述的软体等离子刻蚀工艺，其中在上述步骤中，所用等离子体为氧等离子体，其中氧等离子体的压力小于等于20帕斯卡，蚀刻功率为300瓦。
6.一软体等离子刻蚀调控方法，其特征在于，通过以下方式来调整软体等离子的刻蚀，以使光谱仪准确的识别有机半导体样品的亚层信息及分析被测样品的内部结构：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘威麟，曾爽，王钰恒，姚志昊，史远，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。