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软体等离子刻蚀工艺及调控方法技术
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文档序号:42374913
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本发明提供了一软体等离子刻蚀工艺及调控方法,包括以下步骤:(S101)放置被测样品至一真空腔;(S102)光纤传导光源至被测样品;(S103)电容耦合放电形成等离子体,轰击被测样品表面;(S104)被测样品表面发生物理化学反应,被测样品被逐...
该专利属于宁波大学所有,仅供学习研究参考,未经过宁波大学授权不得商用。
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