一种梯度层+本征层工艺设计方法技术

本发明专利技术公开了一种梯度层+本征层工艺设计方法，涉及光伏电池技术领域，包括选择合适的前驱体和反应气体，前驱体在衬底表面分解并生长一单晶薄层；在所述单晶薄层的斜坡位置生长时间设定的基础上加设平稳位置生长时间，并将该平稳位置生长时间作为梯度层结束信号。本发明专利技术通过修改程式设定并给出一个结束信号至梯度层，能够实现梯度层的有效结束，另一方面，在梯度层结束后，梯度层参数就不再对本征层有影响，从而能够实现客户对阻值的需求，实现了梯度层上生长本征层并且仅一次高温生长就能达到预期阻值，通过节省外延片制作工期有效提升了光伏电池晶片的工艺效率，同时能够解决梯度生长后，程式无法有效结束梯度层参数的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池，具体为一种梯度层+本征层工艺设计方法。

技术介绍

1、外延生长是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料，这层新沉积的单晶层被称作外延层。在硅基光伏电池的制造过程中，外延工艺被广泛采用；例如，在硅衬底上采用硅外延工艺生长一个纯净且控制精细的硅层，这对于制造高效的光伏电池极其重要。由于在多层产品中引进某层阻值，即沿厚度方向呈现梯度变化后增加一层本征层，因此，必须在原有外延梯度工艺程式上增加一层本征层，虽然现有设计梯度层确实达到了阻值呈梯度变化的目的，但是无法实现本征层生长。

2、对于上述本征层的生长过程，若按照常规生长方式，则需要分步生长才能实现，同时经分布生长后，晶片需经过两次热过程，然而，两次热过程之间需要晶片在第一次生长后完成清洗，且在清洗完成后进行二次生长，两次生长过程都会造成良率损失，影响成品品质；另一方面，经研究发现，目前外延工艺程式每层生长时间都设定在平稳这一步做为结束信号，而梯度外延层生长本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于，所述设计方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：前驱体为氧化硅、氮化硅、金属、金属氮化物或金属有机化合物中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：反应气体为氢气、氮气、惰性气体中的一种气体或若干种气体的组合气体。

4.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：所述前驱体在衬底表面分解的反应室温度为1040℃-1060℃。

5.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：所述单...

【技术特征摘要】

1.一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于，所述设计方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：前驱体为氧化硅、氮化硅、金属、金属氮化物或金属有机化合物中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：反应气体为氢气、氮气、惰性气体中的一种气体或若干种气体的组合气体。

4.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：所述前驱体在衬底表面分解的反应室温度为1040℃-1060℃。

5.根据权利要求1所述的一种梯度层+本征层工艺设计方法，其特征在于：所述单晶薄层与底层晶体衬底在结构上有序对齐。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨银，陈澄，高璇，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：