比较器和包括比较器的图像传感器制造技术

提供了一种比较器和包括比较器的图像传感器。比较器包括：第一输入晶体管，包括连接到第一输入节点的栅极；第二输入晶体管，包括连接到第二输入节点的栅极；第一负载晶体管，包括连接到第一输入晶体管的漏极；第二负载晶体管，包括连接到第二输入晶体管的漏极；第一移位晶体管，包括连接到第一负载晶体管的漏极；第二移位晶体管，包括连接到第二负载晶体管的漏极；第一底部开关，并联连接到第一负载晶体管；第二底部开关，并联连接到第二负载晶体管；第一顶部开关，并联连接到第一移位晶体管；以及第二顶部开关，并联连接到第二移位晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种图像传感器，并且更具体地，涉及一种比较器和包括该比较器的图像传感器。

技术介绍

1、图像传感器是用于捕获对象的二维或三维图像的设备。图像传感器通过使用根据从对象反射的光的强度作出反应的光电变换元件来生成对象的图像。随着互补金属氧化物半导体(cmos)技术的发展，已经使用了使用cmos的cmos图像传感器。cmos图像传感器使用相关双采样(cds)技术来移除像素中的复位噪声。为了改善图像质量，使用cds技术的模数转换电路会需要高性能。

技术实现思路

1、如由本文中所描述的实施例实现的本专利技术构思提供了一种能够调整自动归零电平的比较器以及图像传感器。

2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种比较器，该比较器包括：第一输入晶体管，包括连接到第一输入节点的栅极；第二输入晶体管，包括连接到第二输入节点的栅极；第一负载晶体管，包括连接到第一输入晶体管的漏极的漏极；第二负载晶体管，包括连接到第二输入晶体管的漏极的漏极；第一移位晶体管，包括连接到第一负载晶体管的源极的漏极；第二移位晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种比较器，包括：

2.根据权利要求1所述的比较器，还包括：

3.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述第一移位晶体管的阈值电压高于所述第一负载晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、第二自动归零时段和第二比较时段中进行操作，并且

5.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、第二自动归零时段和第二比较时段中进行操作，并且

6.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、...

【技术特征摘要】

1.一种比较器，包括：

2.根据权利要求1所述的比较器，还包括：

3.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述第一移位晶体管的阈值电压高于所述第一负载晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、第二自动归零时段和第二比较时段中进行操作，并且

5.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、第二自动归零时段和第二比较时段中进行操作，并且

6.根据权利要求1所述的比较器，其中，所述比较器被配置为在第一自动归零时段、第一比较时段、第二自动归零时段和第二比较时段中进行操作，并且

7.一种图像传感器，包括：

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一负载晶体管的源极被连接到所述第一移位晶体管的漏极，并且

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述比较器包括：

10.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述第一负载晶体管的漏极被连接到所述第一移位晶体管的漏极，并且

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述比较器包括：

12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴寅准，金载宖，金晋佑，白戴和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：