【技术实现步骤摘要】
本发涉及合成氧化硅工艺，特别涉及一种高软化点氧化硅的合成方法。
技术介绍
1、半导体和光伏分别占据全球高纯石英砂销量的36%和34%，成为石英砂需求量最大的两个行业。在半导体领域，高纯石英材料主要用于生产半导体硅片，通常要求石英砂的纯度在6n级以上。在光伏领域，石英砂主要用于制作拉制单晶硅棒的石英坩埚，为了保证单晶硅棒的性能以及石英坩埚的使用寿命，对石英砂的纯度、杂质、羟基、气液包裹体、粒度、一致性等都有严格的要求。
2、近几年，由于光伏技术的快速发展以及优质石英矿床资源的稀缺，高纯石英砂处于严重紧缺状态。随着需求量的增加以及价格的上涨，用于光伏领域石英砂的生产技术成为各大生产商的研究热点。日本三菱化学通过溶胶-凝胶法工艺得到纯度在6n级以上的合成二氧化硅，并将其用于半导体领域。受三菱化学的启发，科研工作者尝试用合成石英砂制作石英坩埚，通过进一步提高二氧化硅的纯度，降低羟基和气液包裹体的含量提高合成二氧化硅的性能，并将其用于制作石英坩埚。
3、申请人针对合成二氧化硅进行长期研究后发现，合成二氧化硅与天然形成的石英...
【技术保护点】
1.一种高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，采用以下步骤：
2.根据权利要求1所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，焙烧温度为1400~1600 ℃。
3. 根据权利要求1所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，焙烧温度为1100~1300 ℃。
4.根据权利要求1-3任意一项所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，钛化合物和/或者锆化合物的添加量为0.0003~0.001%。
5.根据权利要求1-3任意一项所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，所述钛酸烷基酯选自钛酸四甲酯、钛酸四乙酯、钛酸四丙酯、钛酸四异...
【技术特征摘要】
1.一种高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，采用以下步骤：
2.根据权利要求1所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，焙烧温度为1400~1600 ℃。
3. 根据权利要求1所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，焙烧温度为1100~1300 ℃。
4.根据权利要求1-3任意一项所述高软化点氧化硅的合成方法，其特征在于，钛化合物和/或者锆化合物的添加量为0.0003~0.001%。
5.根据权利要求1-3任意一项所述高软化点氧化硅的合成方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：邰志军，胡一鸣，高雪，孙宏亮，赵聪，王蕊，王吉祥，王贤彬，续晶华，李进，
申请(专利权)人：中触媒新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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