一种大气稳定的二维室温铁磁纳米片及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于磁性材料技术领域，公开了一种大气稳定的二维室温铁磁纳米片及其制备方法和应用。所述二维铁磁纳米片的化学式为Cr<subgt;1+δ</subgt;Te<subgt;2</subgt;，其中0.65≤δ≤0.75。所述二维铁磁纳米片具有室温磁性以及在大气环境中的形貌和磁畴的变化具有稳定性，所述二维铁磁纳米片的初始磁畴为条纹畴。本发明专利技术使用化学沉积方法成功制备得到大气稳定、具有室温磁性的Cr<subgt;1+δ</subgt;Te纳米片，实现二维室温磁性材料的可控生长。制备所得纳米片的初始磁畴为条纹畴，在外加磁场和热激励的作用下，能够调控斯格明子的产生和湮灭。该材料在磁信息存储和自旋电子学器件领域具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁性材料，具体涉及一种大气稳定的二维室温铁磁纳米片及其制备方法和应用。

技术介绍

1、二维磁性材料作为二维材料中的一员，有着较弱的层间范德瓦尔斯作用力且在原子层厚度仍能维持自发磁化。这些性质使得二维磁性材料易于通过电场、磁场、界面等手段进行调控，为探索自旋相关的物理现象和自旋电子学器件提供了新的平台。在手性和极性磁性材料的研究中，观察到一种具有涡旋状拓扑属性和纳米尺寸的自旋结构——磁性斯格明子(skyrmion)。斯格明子可以被低密度电流高速驱动，表现出丰富的动力学特性。使用斯格明子作为新一代信息存储单元有望解决当下存储器面临的能耗问题、量子极限问题和摩尔定律问题，因此斯格明子的自旋电子学器件有望成为新一代低能耗存储器。

2、斯格明子产生的机理主要有四类，一是长程磁偶极相互作用，该相互作用与磁各向异性竞争，在磁场的作用下产生斯格明子阵列；二是dzyaloshinskii-moriya相互作用，源自磁体晶格或磁性薄膜界面处的对称性缺失；三是阻挫交换相互作用；四是四自旋交换相互作用。除了在一些手性磁体(mnsi，fege)中观测到斯格本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，所述二维铁磁纳米片的化学式为Cr1+δTe2，其中0.65≤δ≤0.75。

2.根据权利要求1所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，外磁场或热激励下对所述二维铁磁纳米片的磁畴的形态具有调控作用，使二维铁磁纳米片的磁畴从条纹畴结构转变为斯格明子结构。

3.根据权利要求2所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，0G＜所述外磁场大小≤1000G，外磁场的方向垂直于纳米片表面向上或向下。

4.根据权利要求2所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，300K≤所述热激励的温度≤333K。<...

【技术特征摘要】

1.一种大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，所述二维铁磁纳米片的化学式为cr1+δte2，其中0.65≤δ≤0.75。

2.根据权利要求1所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，外磁场或热激励下对所述二维铁磁纳米片的磁畴的形态具有调控作用，使二维铁磁纳米片的磁畴从条纹畴结构转变为斯格明子结构。

3.根据权利要求2所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，0g＜所述外磁场大小≤1000g，外磁场的方向垂直于纳米片表面向上或向下。

4.根据权利要求2所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，300k≤所述热激励的温度≤333k。

5.根据权利要求1所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，所述二维铁磁纳米片的化学式为cr1+δte2，其中δ为0.65、0.66、0.70或0.75。

6.根据权利要求1所述的大气稳定的二维室温铁磁纳米片，其特征在于，所述二维铁磁纳米片具有室温磁性以及在大气环境中的形貌和磁畴的变化具有稳定性，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李桃，郭永祥，倪妍，闵泰，侯飞雁，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：