一种比较器压摆率提升电路制造技术

技术编号:42370981 阅读:52 留言:0更新日期:2024-08-16 14:53
本发明专利技术涉及比较器领域,具体涉及一种比较器压摆率提升电路,包括比较器单元和压摆率提升单元,所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上,未增加压摆率提升单元时,Y0的上升压摆率为5.67V/us,下降压摆率为1.97V/us;而增加压摆率提升单元后,Y1上升压摆率为16.1V/us,Y1下降压摆率为16.1V/us,上升压摆率和下降压摆率得到有效的提升。并且在电路功耗方面,在相同压摆率的前提下,增加压摆率提升单元的电路功耗约为2.6uA,而未加入压摆率提升单元的电路功耗约为16.45uA,保证压摆率得到有效的提高,同时降低了功耗,节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及比较器领域,具体涉及一种比较器压摆率提升电路


技术介绍

1、对两个或多个数据项进行比较,以确定它们是否相等,或确定它们之间的大小关系及排列顺序称为比较。能够实现这种比较功能的电路或装置称为比较器。比较器是将一个模拟电压信号与一个基准电压相比较的电路。比较器的两路输入为模拟信号,输出则为二进制信号0或1,当输入电压的差值增大或减小且正负符号不变时,其输出保持恒定。比较器的输入信号幅度变化时,输出电平会随着变化,当输出电平增加或减小到一个界限时,这时的电压变化率称为压摆率。现有的比较器的压摆率常常会受到功耗限制,如果需要提升压摆率,通常需要增大驱动级的尺寸、增大电流,导致功耗增加,成本升高。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种比较器压摆率提升电路,旨在改善提升压摆率导致功耗增加,成本升高的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:

3、一种比较器压摆率提升电路,包括比较器单元和压摆率提升单元,所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上,...

【技术保护点】

1.一种比较器压摆率提升电路,其特征在于,包括比较器单元和压摆率提升单元,所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上,

2.根据权利要求1所述的比较器压摆率提升电路,其特征在于:所述比较器单元包括三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、mos管PM0、mos管PM1、mos管PM2、mos管PM3、mos管PM4、mos管PM5、mos管PM6、mos管NM0、mos管NM1、mos管NM2、mos管NM3、mos管NM6、mos管NM7、电容C0、电容C1、电流源I0和电阻R0;

3.根据权利要求2所述的比较器压...

【技术特征摘要】

1.一种比较器压摆率提升电路,其特征在于,包括比较器单元和压摆率提升单元,所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上,

2.根据权利要求1所述的比较器压摆率提升电路,其特征在于:所述比较器单元包括三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6、mos管pm0、mos管pm1、mos管pm2、mos管pm3、mos管pm4、mos管pm5、mos管pm6、mos管nm0、mos管nm1、mos管nm2、mos管nm3、mos管nm6、mos管nm7、电容c0、电容c1、电流源i0和电阻r0;

3.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路,其特征在于:所述三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6和三极管q7均为双极结型晶体管。

4.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路,其特征在于:所述mos管pm0、mos管pm1、mos管...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪嘉栋杨瑞聪高耿辉
申请(专利权)人:厦门元顺微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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