智能充电器制造技术

技术编号:4236100 阅读:167 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种智能充电器,包括分别与微处理器相连的充电电流控制电路、充电电流比较器、充电电压检测电路、充电状态指示电路、串口通讯电路,其外围设置有PS1718B芯片,所述微处理器采用GMS97C2051芯片作编程控制器,所述充电电压检测电路为抗高频干扰积分电路。本实用新型专利技术能实现充电电压的准确检测,能够消除电池电压的高频干扰,工作稳定可靠,一次可对10节镍镉、镍氢或锂离子电池中一种以上电池组合进行充电,与传统充电器相比,本实用新型专利技术充电方式更加灵活,充电控制更加方便,降低了成本。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及充电器,特别是涉及一种智能充电器
技术介绍
传统的充电器一般只能针对某一种化学电池进行充电,而且充电模式单一,充电 电流、充电时间一般都不能调整,也难以实现对充电过程的实时监控。当用户需要对多节镍 镉、镍氢或锂离子电池中一种以上电池组合进行充电时,对电压采样的精度、可靠性及实时 监控的技术要求都非常高,如果利用传统的充电器进行充电,往往由于电压采样不准确,造 成电池过充或者未充满就停止充电,不仅容易縮短电池的寿命,还可能发生电池爆炸、损坏 充电器等危险情况。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足,提供一种可对多节镍镉、镍 氢或锂离子电池中一种以上电池组合进行充电的智能充电器,能实现充电电压的准确检 本技术提供的智能充电器,包括分别与微处理器相连的充电电流控制电路、 充电电流比较器、充电电压检测电路、充电状态指示电路、串口通讯电路,其外围设置有 PS1718B芯片,所述微处理器采用GMS97C2051芯片作编程控制器,所述充电电压检测电路 为抗高频干扰积分电路。 在上述技术方案中,所述充电电压检测电路包括三个运放U1B、U1C、U1D,开关三 极管T4, 二极管Dl、 D2,电容C2、 C7,电阻Rl、 R8、 R9、 RIO、 Rll、 R15、 R19、 R20,运放U1B的 同相输入端分别通过电阻R8、R9与PS1718B芯片的BATT-端、8八17+端相连,运放U1B的反 相输入端通过电阻Rll与开关三极管T4的集电极相连,开关三极管T4的集电极通过电阻 R10与PS1718B芯片的BATT+端相连,运放U1B的反相输入端与输出端之间设置有电容C2, 运放U1B的输出端与运放U1C的反相输入端相连,运放U1C的同相输入端通过电阻R15、电 容C7与开关三极管T4的发射极相连,运放U1D的同相输入端与PS1718B芯片的BATT-端 相连,运放U1D的反相输入端通过电阻R1接地,运放U1D、 U1C的输出端分别与二极管D1、 D2的负极相连,二极管D1、D2的正极分别通过R19、R20与PS1718B芯片的Vref端相连。 在上述技术方案中,所述充电电流控制电路中包括恒流源电路,所述恒流源电路 为比例积分反馈调节电路,包括运放U1A、调整驱动三极管T1、控制三极管T3、电容C1、电阻 Rl、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R17,运放U1A的同相输入端分别与电阻R2、 R3相连,电阻R2通 过Rl接地,运放U1A的反相输入端通过电阻R4与PS1718B芯片的BATT-端相连,运放U1A 的反相输入端通过电阻R5、电容Cl与运放U1A的输出端相连,运放U1A的输出端通过电阻 R6与调整驱动三极管Tl的基极相连,调整驱动三极管Tl的集电极与PS1718B芯片的DRV 端相连,调整驱动三极管Tl的基极、控制三极管T3的集电极分别与PS1718B芯片的Ctrl端 相连,调整驱动三极管Tl的发射极、控制三极管T3的基极分别通过电阻R7、R17与PS1718B芯片的Vref端相连,控制三极管T3的发射极与PS1718B芯片的Vref端相连。 在上述技术方案中,所述恒流源电路中还包括稳压管Zl,调整驱动三极管Tl的发射极通过稳压管Zl与PS1718B芯片的BATT-端相连,稳压管Zl的正极与PS1718B芯片的BATT-端相连。 在上述技术方案中,还包括基准电压源,所述基准电压源包括三端可调分流基准 源TL431、三极管T2、电容C3、电阻R12、R13、R14, TL431的阳极通过电容C3与PS1718B芯片 的Vref端相连,TL431的阳极通过电阻R13与TL431的参考极相连,TL431的参考极通过电 阻R12与PS1718B芯片的Vref端相连,TL431的阴极与三极管T2的基极相连,三极管T2的 基极通过电阻R14与三极管T2的集电极相连,三极管T2的集电极、发射极分别与PS1718B 芯片的V+端、Vref端相连。 在上述技术方案中,还包括放电电路,所述放电电路包括三极管8050和功耗电阻 Rd,三极管8050的集电极与功耗电阻Rd相连,三极管8050的基极与PS1718B芯片的DISCHG 端相连,三极管8050的发射极与PS1718B芯片的BATT-端相连。 在上述技术方案中,还包括电池温度检测电路,所述电池温度检测电路包括 GMS97C2051芯片内部比较器和热敏电阻。 本技术的优点在于 智能充电器由智能充电控制器及其外围器件构成,其中充电控制器部分集成在一 个DIP28的封装内,充电控制器适应不同的外围器件,可以构成不同容量、不同节数的镍 镉、镍氢及锂离子电池充电器。智能充电控制器部分主要由TL431、调整管T2构成电池电压 检测基准,并兼作单片机电源,由三个运放U1B、 U1C、 U1D、开关三极管T4、二极管Dl、 D2、电 容C2、C7、电阻R1、R8、R9、R10、R11、R15、R19、R20构成高精度抗高频干扰积分电路,实现充 电电压的准确检测,准确判定镍镉,镍氢电池的恒流充电终止时刻,并利用GMS97C2051内 部比较器和电池热敏电阻实现电池最高温度检测控制。放电电路由外围功率晶体管和功耗 电阻Rd组成,并受单片机P3. 7控制。智能充电控制器通过串行口 、上位机可以设置充放电 的各种参数,同时可以对充放电过程中的各种参数进行监测。本技术可对镍镉、镍氢及 锂离子电池充电,一次可充10节镍镉、镍氢或锂离子电池。对于镍镉、镍氢电池,采用先进 的-AV算法判定电池已充满,对于锂离子电池,采用恒流-恒压方式充电,充电恒流的大小 可通过改变电流反馈电阻的阻值进行调整,可以实时检测电池充放电温度,充电状态指示, 通过串口可方便地与上位机(即PC机)通讯,输出电池充电过程中的各种参数,同时也可 以通过上位机设置充电器的充电参数,与传统充电器相比,本技术充电方式灵活,充电 控制更加方便,降低了成本。附图说明图1为本技术的原理框图; 图2为本技术的结构框图; 图3为本技术的电路原理示意图; 图4为本技术的外围电路示意图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步的详细描述,但该实施例不应理解 为对本技术的限制。 参见图1和图2所示,本技术提供的智能充电器,包括分别与微处理器相连的 充电电流控制电路、充电电流比较器、充电电压检测电路、充电状态指示电路、串口通讯电 路,其外围设置有PS1718B芯片,所述微处理器采用GMS97C2051芯片作编程控制器,所述充 电电压检测电路为抗高频干扰积分电路。 参见图3所示,所述充电电压检测电路包括三个运放U1B、U1C、U1D,开关三极管 T4,二极管D1、D2,电容C2、C7,电阻Rl、 R8、 R9、 RIO、 Rll、 R15、 R19、 R20,运放U1B的同相输 入端分别通过电阻R8、R9与PS1718B芯片的BATT-端、8八17+端相连,运放U1B的反相输入 端通过电阻Rll与开关三极管T4的集电极相连,开关三极管T4的集电极通过电阻R10与 PS1718B芯片的BATT+端相连,运放U1B的反相输入端与输出端之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能充电器,包括分别与微处理器相连的充电电流控制电路、充电电流比较器、充电电压检测电路、充电状态指示电路、串口通讯电路,其外围设置有PS1718B芯片,其特征在于:所述微处理器采用GMS97C2051芯片作编程控制器,所述充电电压检测电路为抗高频干扰积分电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴学锋张亚凡张帆
申请(专利权)人:武汉力源信息技术股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:83[中国|武汉]

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