基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及气体供给单元制造方法及图纸

即使在同时供给不同的多种气体的情况下，也可以提升基板的处理质量。本发明专利技术具有：处理容器，其收容基板；第一气体供给部，其向处理容器内供给第一反应气体；气体供给管，其向处理容器内供给第二反应气体、和含有与第二反应气体所含的元素相同的元素且分子构造不同的第三反应气体；贮存部，其被设置在气体供给管而贮存第二反应气体和第三反应气体；第一阀，其被设置在气体供给管的贮存部与处理容器之间；第二气体供给部，其向贮存部供给第二反应气体；第三气体供给部，其向贮存部供给第三反应气体；控制部，其构成为能够控制第一气体供给部、第一阀、第二气体供给部、和第三气体供给部，以便执行如下的处理：(a)将第二反应气体和第三反应气体贮存于贮存部的处理；(b)向基板供给第一反应气体的处理；(c)从贮存部向基板供给第二反应气体和第三反应气体的处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术关于基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及气体供给单元。

技术介绍

1、作为半导体装置的制造工序的一工序，具有在基板处理装置的处理容器内将膜形成于基板的工序(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2019/058608号手册

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、然而，在上述的基板处理装置中，当低蒸气压的气体和高蒸气压的气体同时被导入至处理容器内时，存在难以供给足够量的低蒸气压气体的问题。

3、本专利技术的目的在于，提供一种技术，即使在同时供给不同的多种气体的情况下，也可以提升基板的处理质量。

4、解决问题的技术手段

5、根据本专利技术的一方式，提供一种技术，具有：

6、处理容器，其收容基板；

7、第一气体供给部，其向上述处理容器内供给第一反应气体；

8、气体供给管，其向上述处理容器内供给第二反应气体、和含有与上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川有人，清野笃郎，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：