封装结构及其形成方法技术

一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：堆叠的晶圆，包括第一晶圆和位于第一晶圆上方的第二晶圆；每个晶圆包括基底和位于基底上的第一介质层，第一介质层背向基底的面为键合面，其中，键合面一侧的第一介质层中形成有键合焊垫，第一晶圆和第二晶圆的键合面相对设置，且第一晶圆和第二晶圆的键合焊垫上下相对并相键合；第二介质层，位于第二晶圆背向第一晶圆的基底上；定位结构，位于第二介质层中，定位结构与特定的键合焊垫之间具有预设位置关系。本发明专利技术可较方便地定位特定的键合焊垫的位置，从而提高不良分析和解决效率，进而提高了故障分析手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

技术介绍

1、三维集成电路(three-dimensional integrated circuit，3dic)是利用先进的芯片堆叠技术制备而成，将具不同功能的芯片堆叠成具有三维结构的集成电路。相较于二维结构的集成电路，三维集成电路的堆叠技术不仅可使三维集成电路信号传递路径缩短，还可以使三维集成电路的运行速度加快，从而满足半导体器件更高性能、更小尺寸、更低功耗以及更多功能的需求。

2、其中，混合键合(hybrid bonding)是一种将顶部晶圆(top wafer，t/w)和底部晶圆(bottom wafer，b/w)上的键合焊垫和电介质绝缘层同时键合的技术，键合后顶部晶圆背面硅基底(backside silicon)根据工艺需求减薄至2～30um，然后通过tsv(throughsilicon via)工艺将器件线路引出至背面硅基底一面，再形成顶部晶圆背面硅基底上的外接焊垫，用于与外界电路电连接。

3、但是混合键合过程中会出现键合界面异常，例如：键合偏出(bond本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二晶圆的第一介质层中掩埋有互连层结构；所述定位结构的材料为金属材料；

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述定位结构和外接互连层的顶部均高于所述第二介质层的顶部；

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述预设位置关系包括如下情形中的任意一种或两种：在同一投影面上，所述定位结构的投影位于对应的键合焊垫的投影区域中；在同一投影面上，所述定位结构的投影位于对应的键合焊垫的外侧且相邻设置。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二晶...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二晶圆的第一介质层中掩埋有互连层结构；所述定位结构的材料为金属材料；

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述定位结构和外接互连层的顶部均高于所述第二介质层的顶部；

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述预设位置关系包括如下情形中的任意一种或两种：在同一投影面上，所述定位结构的投影位于对应的键合焊垫的投影区域中；在同一投影面上，所述定位结构的投影位于对应的键合焊垫的外侧且相邻设置。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二晶圆和第一晶圆的第一介质层中均掩埋有互连层结构；

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：保护层，位于所述第二介质层上，所述保护层覆盖所述定位结构。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述定位结构的横截面形状为l形、十字形、圆形或方形中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述定位结构的线宽范围为1.8μm～20μm。

10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述定位结构的材料包括铝、铜、金或银中的一种或多种。

11.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

12.如权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：隋凯，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：