本发明专利技术实施例提供一种功耗控制方法及装置，该方法包括：检测存储设备中控制芯片的温度，其中，控制芯片功耗随存储设备中存储单元的并发数的增加而增加；在检测到温度大于或等于预先设置的第一阈值时，将存储单元的并发数控制在预先设置的第二阈值之内。通过上述处理，实现了根据存储设备中控制芯片的温度控制功耗，保证了读写数据的正确性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种功耗控制方法及装置。
技术介绍
在现有技术中，固态硬盘(Solid State Disk ;以下简称SSD)是由控制单元和固 态存储单元(DRAM或Flash)组成的硬盘，SSD的接口规范、功能、使用方法、产品外形、以及 尺寸等均与普通硬盘相似。由于SSD是由多片固态存储单元组成存储阵列，使其不具有普 通硬盘的机械结构，从而具有低功耗、无噪声、抗震动、低热量、传输速度快等优点。 在SSD中，单片固态存储单元的读写效率非常低，SSD的高读写性能完全依赖于多 片固态存储单元的并发操作，固态存储单元的并发数越多，SSD的读写性能就越高。因此，除 命令解析、地址映射、数据传输所占有的开销外，可以将SSD的整体性能近似地认为是固态 存储单元的单片性能与并发数的乘积。态存储单元的并发数越多，SSD的功耗就越大。在 实际应用中，由于环境等因素的影响，非常容易引起SSD盘片温度过高；并且，随着SSD温度 的升高，使得SSD的功耗也随之升高。在上述情况下，如果SSD仍然持续工作在高功耗状态 下，非常容易造成数据的读写错误，甚至造成SSD的控制芯片的损坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种功耗控制方法及装置，用以解决现有技术中由于存储设备 中的控制芯片持续工作在高温高功耗状态下而造成的数据读写错误、以及控制芯片损坏的 缺陷，实现根据控制芯片的温度控制功耗。 本专利技术实施例提供一种功耗控制方法，包括 检测存储设备中控制芯片的温度，其中，控制芯片功耗随存储设备中存储单元的并发数的增加而增加；在检测到温度大于或等于预先设置的第一阈值时，将存储单元的并发数控制在预先设置的第二阈值之内。 本专利技术实施例提供一种功耗控制装置，包括 检测模块，用于检测存储设备中控制芯片的温度，其中，控制芯片的功耗随存储设备中存储单元的并发数的增加而增加；控制模块，用于在检测模块检测到温度大于或等于预先设置的第一阈值时，将存储单元的并发数控制在预先设置的第二阈值之内。 本专利技术实施例的功耗控制方法及装置，通过根据存储设备的温度控制存储单元的并发数，克服了现有技术中由于存储设备中控制芯片持续工作在高温高功耗状态下而造成的数据读写错误、以及控制芯片损坏的缺陷，实现了根据存储设备中控制芯片的温度控制功耗，保证了读写数据的正确性，并避免了由于控制芯片功耗随温度升高而导致的控制芯片损坏。附图说明 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1是根据本专利技术实施例的功耗控制方法的流程图； 图2是根据本专利技术实施例的功耗控制方法的详细处理的流程图； 图3是根据本专利技术实施例的功耗控制装置的示意图； 图4是根据本专利技术实施例的以SSD为例的功耗控制装置的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例进一步说明本专利技术实施例的技术方案。 根据本专利技术的实施例，提供了一种功耗控制方法，图1是根据本专利技术实施例的功耗控制方法的流程图，如图1所示，根据本专利技术实施例的功耗控制方法包括 步骤101，检测存储设备中控制芯片的温度；需要说明的是，本专利技术实施例所述的存储设备需要符合以下两个条件1、该存储设备包括控制芯片以及多个存储单元；2、该存储设备中控制芯片的功耗随存储单元的并发数的增加而增加，也就是说，进行操作的存储单元的数目越多，控制芯片的功耗也就越大。只要符合上述两个条件的存储设备均可以使用本专利技术实施例所述的方法对其进行功耗控制。SSD就是符合上述两个条件的存储设备。 步骤102，在检测到该存储设备中控制芯片的温度大于或等于预先设置的第一阈值时，将存储单元的并发数控制在预先设置的第二阈值之内。 在步骤102之后，在检测到该存储设备中控制芯片的温度恢复为小于上述第一阈 值时，可以取消对存储单元的并发数的控制。 通过上述处理，能够在存储设备中控制芯片温度过高时，降低其功耗，使功耗不会 随着控制芯片温度的上升而上升，从而使得使控制芯片不会长时间工作在高温、高功耗状 态下，提高了存储设备的可靠性。 下面，以SSD为例，对本专利技术实施例的上述技术方案进行详细说明。 具体地，SSD中的固态存储单元(Nand Flash)在处于空闲(Stand By)状态时的空闲功耗远远低于处于工作状态时的工作功耗，Nand Flash并发操作数越多，SSD中控制芯片的功耗就越大。因此，限制Nand Flash并发操作数可以实现降低控制芯片功耗的目的。在过温时，即，在检测到存储设备中控制芯片的温度超过预先设置的第一阈值时，可以通过限制NandFlash的并发数的方式降低控制芯片的功耗，使控制芯片的温度恢复正常。当控制芯片的温度恢复正常后，又可以增加Nand Flash并发数。 下面，对在SSD中控制芯片温度过高时，控制存储单元的并发数的操作进行详细 说明。 首先，如果检测到SSD中控制芯片的温度大于或等于预先设置的第一阈值，则向 命令控制单元发送过温通知；命令控制单元接收到过温通知后，需要判断并发计数器中记 录的存储单元的并发数是否大于预先设置的第二阈值；在判断存储单元的并发数小于或 等于第二阈值时，命令控制单元将主机下发的命令发送给存储控制单元，或者，在上述情况 下，为了保证SSD中数据的安全，也可以直接根据存储单元的并发数的实际情况调整第二 阈值；在判断存储单元的并发数大于第二阈值时，命令控制单元在等待存储单元的并发数小于第二阈值后，再将主机下发的命令发送给存储控制单元。 如果检测到温度恢复为小于第一阈值，则向命令控制单元发送温度恢复通知；命 令控制单元在接收到温度恢复通知后，不需要判断并发计数器中记录的固态存储单元的并 发数是否大于第二阈值，直接将主机下发的命令发送到存储控制单元。 在将主机下发的命令发送到存储控制单元之后，存储控制单元控制存储单元执行 主机下发的命令；并发计数器根据当前存储单元的并发数更新其保存的存储单元的并发 数。 从上述处理可以看出，本专利技术实施例通过实时检测SSD中控制芯片的温度，在温 度超过某个阈值时，限制Nand Flash的并发数来降低盘片的功耗；当温度恢复到正常水平 后，又可以恢复Nand Flash并发操作数，在SSD中控制芯片温度过高时，降低控制芯片的 功耗，使功耗不会随着温度上升而上升，从而使得SSD不会长时间工作在高温、高功耗状态 下，提高了SSD的可靠性。 下面，结合图2对本专利技术实施例的功耗控制方法的处理过程进行详细说明，图2是 根据本专利技术实施例的功耗控制方法的详细处理的流程图，如图2所示，包括如下处理 步骤1，主机向控制模块下发命令； 步骤2，控制单元中的命令解析单元解析主机的命令； 步骤3，命令解析单元判断缓存单元是否已满，如果判断为是，则等待，如果判断为 否，则执行步骤4; 步骤4，命令解析单元将解析后的命令存入缓存单元； 步骤5，控制单元中的命令控制单元判断缓存单元中是否还缓存有未处理的命令， 如果判断为是，执行步骤6，如果判断为否，则继续判断缓存单元中是否还缓存有未处理的 命令。 步骤6，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种功耗控制方法，其特征在于，包括：检测存储设备中控制芯片的温度；在检测到所述温度大于或等于预先设置的第一阈值时，将所述存储单元的并发数控制在预先设置的第二阈值之内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨继涛，柯乔，张琴，李欣，
申请(专利权)人：成都市华为赛门铁克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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