【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种监测钨金属化学机械研磨机台漏光的方法。
技术介绍
1、化学机械研磨(cmp)常被应用于钨金属的内连线、介层窗插塞或接触插塞等结构的平坦化制程。研磨过程易产生一些晶圆缺陷，主要是研磨浆内的研磨颗粒与介电层的表面发生反应作用造成的，后续镶嵌于介电层内的钨金属易产生短路、开路或高漏电的问题。此外，当研磨制程发生过度研磨的情形，会将部分介电层去除，由此导致氧化材质腐蚀、钨插塞凹陷等问题。
2、现有的钨金属cmp机台离线监控使用的方法是通过沉积工艺在晶圆表面形成一层介质层(材质通常是teos)，然后对研磨过程进行监控。这种方法可以有效监测研磨后介电层表面的颗粒残留情况和介电层的腐蚀情况。如果钨金属cmp机台模块拼接处密封条脱落，拼接缝隙处有漏光，晶圆中的钨金属在光源条件下发生氧化形成由钨氧化物(wo3)构成的如图1所示的缺陷物质，该缺陷物质造成局部金属连接异常，影响产品良率。现有的钨金属cmp机台离线监控方法无法对机台内光源监控，采用红外、目检等宏观检测也不能及时有效反应机台内漏光现象。
【技术保护点】
1.一种监测钨金属化学机械研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件结构包括形成在P阱中的NMOS和形成在N阱中的PMOS，所述NMOS的N+掺杂区和所述PMOS的P+掺杂区通过钨金属构成的接触塞经由金属互连线实现所述PN结回路导通。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述缺陷分布图中存在缺陷的点位呈密集式带状分布，则判定所述钨金属化学机械研磨机台存在漏光现象。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述存在漏光现象的钨金属化学机械研磨机台进行遮光处理后，再对正...
【技术特征摘要】
1.一种监测钨金属化学机械研磨机台漏光的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件结构包括形成在p阱中的nmos和形成在n阱中的pmos，所述nmos的n+掺杂区和所述pmos的p+掺杂区通过钨金属构成的接触塞经由金属互连线实现所述pn结回路导通。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述缺...
【专利技术属性】
技术研发人员：文浩然，陈苗，张方舟，宁威，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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