【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示,具体而言,涉及一种驱动背板、显示面板及显示装置。
技术介绍
1、随着显示装置的像素密度(ppi)的提升,单个子像素的面积变得越来越小,因此需要中减少金属走线的密度或减少过孔的数量,来缩小像素驱动电路的面积。
2、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服因为第一有源层与第一转接部的连接电阻变大,使得传输至输出信号线的电流变小,进而影响显示面板的显示效果的问题,提供一种驱动背板、显示面板及显示装置。
2、根据本专利技术的一个方面,提供一种驱动背板,包括像素驱动电路,像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和输出信号线,第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极和输出信号线相互连接,驱动背板还包括衬底基板、第一有源层、第一转接层和第一源漏导电层,第一转接层,设于衬底基板的一侧,第一转接层包括第一转接部;第一有源层与第一
...【技术保护点】
1.一种驱动背板,其特征在于,包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和输出信号线,所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极和所述输出信号线相互连接,所述驱动背板还包括:
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层由所述第一转接部的侧面延伸至搭接于所述第一转接部远离所述衬底基板的一侧,所述第一有源层与所述第一转接部搭接的部分为第一搭接部,沿第一方向,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一搭接部在所述衬底基板上的正投影和所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影交叠,所述第一方向为所述第一有源层向所述第一转接部延伸
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【技术特征摘要】
1.一种驱动背板,其特征在于,包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和输出信号线,所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极和所述输出信号线相互连接,所述驱动背板还包括:
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层由所述第一转接部的侧面延伸至搭接于所述第一转接部远离所述衬底基板的一侧,所述第一有源层与所述第一转接部搭接的部分为第一搭接部,沿第一方向,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一搭接部在所述衬底基板上的正投影和所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影交叠,所述第一方向为所述第一有源层向所述第一转接部延伸的方向。
3.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层未与所述第一转接部搭接的部分为第一非搭接部,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一非搭接部在所述衬底基板上的正投影交叠。
4.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层与所述第一转接部沿第一方向间隔设置,沿所述第一方向,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影和所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影相互靠近的一端分别交叠,所述第一方向为所述第一有源层向所述第一转接部延伸的方向。
5.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一转接部由所述第一有源层的侧面延伸至搭接于所述第一转接部远离所述衬底基板的一侧,所述第一转接部与所述第一有源层搭接的部分为第二搭接部,沿第一方向,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二搭接部在所述衬底基板上的正投影和所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影交叠。
6.根据权利要求2、3或5所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边位于所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边之间,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边位于所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边之间,所述第二方向与所述第一方向相交。
7.根据权利要求3所述的驱动背板,其特征在于,所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边位于所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边之间,所述第一过孔所述衬底基板上的正投影沿第二方向的一边位于所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影沿第二方向的两边之间,所述第一过孔所述衬底基板上的正投影沿第二方向的另一边位于与所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影的一边与所述第一转接部在所述衬底基板上的正投影的一边之间,所述第二方向与所述第一方向相交。
8.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括第二有源层,所述第二有源层设于所述衬底基板与所述第一转接层之间,所述第二有源层设有所述第一晶体管的沟道区、源极和漏极,所述第一转接部通过第二过孔与所述第二有源层远离所述衬底基板的一侧连接。
9.根据权利要求8所述的驱动背板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第三晶体管、存储电容、检测开关、数据信号线、复位信号线和电源信号线,所述电源信号线与所述第一晶体管的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨维,童彬彬,周天民,宁策,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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