一种反极性LED芯片及包括反极性LED芯片的装置制造方法及图纸

本技术提供了一种反极性LED芯片及包括反极性LED芯片的装置，该反极性LED芯片中欧姆接触层包括可以跟N面电极形成欧姆接触的第一膜层以及不可以跟N面电极形成欧姆接触的第二膜层，因而可以将N面电极嵌入在欧姆接触层的凹槽内，增加了N面电极和外延层结构之间的欧姆接触面积，降低了芯片电压；并且由于N面电极与欧姆接触层的接触面积变大，该N面电极的粘附力也得到了增强；进一步的在N面积电极嵌入该凹槽之后，电子除了从底部扩散之外，还可以从第一膜层中往外扩展，增加了电子扩散的通道，提升了电流的扩展能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及一种反极性led芯片及包括反极性led芯片的装置。

技术介绍

1、半导体发光二极管(light emitting diode，简称led)作为下一代绿色照明能源，已经被广泛应用于多个领域。其中，algainp材料由于其带隙可调，可实现有源区不同波段的发光，是制备红黄光led优良的外延材料。

2、algainp基四元系发光二极管通常在gaas衬底上依次生长晶格匹配的外延层，然而由于gaas材料的吸光以及出光时全反射的损耗，导致led芯片的效率比较低。为了进一步提升algainp基led芯片的亮度，一种反极性的led芯片被提出，其通过去除吸光的gaas衬底，将其余外延层结构键合至另一宽带隙衬底(如si衬底等)上，同时在非出光侧制备诸如全方向反射镜(odr)等结构增加光的出射，提高芯片的亮度。

3、但是，在传统的反极性led芯片的制备方法中，由于n面电极仅底部与外延层结构接触，因此n面电极和外延层结构的粘附力不佳；另外，由于n面电极和外延层结构中的欧姆接触层接触面积较小，无法达到最佳的欧姆接触，因而电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反极性LED芯片，其特征在于，所述反极性LED芯片包括：

2.根据权利要求1所述的反极性LED芯片，其特征在于，所述欧姆接触层在所述第一方向上的整体厚度的取值范围为2μm-4μm。

3.根据权利要求1所述的反极性LED芯片，其特征在于，所述第一膜层在所述第一方向上的厚度的取值范围为100nm-500nm。

4.根据权利要求1所述的反极性LED芯片，其特征在于，所述第二膜层在所述第一方向上的厚度的取值范围为50nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的反极性LED芯片，其特征在于，所述第一膜层在所述第一方向上的厚度为第一厚度；...

【技术特征摘要】

1.一种反极性led芯片，其特征在于，所述反极性led芯片包括：

2.根据权利要求1所述的反极性led芯片，其特征在于，所述欧姆接触层在所述第一方向上的整体厚度的取值范围为2μm-4μm。

3.根据权利要求1所述的反极性led芯片，其特征在于，所述第一膜层在所述第一方向上的厚度的取值范围为100nm-500nm。

4.根据权利要求1所述的反极性led芯片，其特征在于，所述第二膜层在所述第一方向上的厚度的取值范围为50nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的反极性led芯片，其特征在于，所述第一膜层在所述第一方向上的厚度为第一厚度；

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹金如，李晓静，辛天骄，乔元鹏，马英杰，沈冬春，陈杰，王志亮，
申请(专利权)人：江西乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：