【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体扩散，具体涉及一种晶圆的加热装置及加热方法。
技术介绍
1、半导体制程中有多种热处理工艺，包括热氧化工艺、尖峰退火工艺等。这些工艺都需要通过晶圆的加热装置对晶圆进行加热。
2、相关技术中，晶圆的加热装置一般使用高强度钨卤素灯作为热辐射源，利用热辐射将晶圆快速加热至最高温度，其中，热辐射源可以设置在晶圆沿厚度方向的一侧，且与晶圆保持一定距离。
3、然而，专利技术人发现相关技术至少存在如下技术问题：在通过晶圆的加热装置对晶圆进行加热时，整个晶圆的温度均匀性较差。
技术实现思路
1、本申请提供一种晶圆的加热装置及加热方法，可以解决晶圆的温度均匀性较差的问题。
2、一方面，本申请提供一种晶圆的加热装置，包括：温度传感器、温度处理器、第一加热部件、第二加热部件、第一控制器和第二控制器；
3、所述温度传感器用于在所述晶圆旋转时，测量所述晶圆沿径向方向的单个或多个位置的实时温度；
4、所述温度处理器与所述温度传感器连接，用于接收...
【技术保护点】
1.一种晶圆的加热装置，其特征在于，包括：温度传感器、温度处理器、第一加热部件、第二加热部件、第一控制器和第二控制器；
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热部件包括多个可独立控制的第一加热光源，所述第二加热部件包括多个可独立控制的第二加热光源；
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述基板包括第一区域和第二区域；
4.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热光源为卤素灯或激光二极管，所述第二加热光源为卤素灯或激光二极管；
5.根据权利要求1至4任一项所述的加热装置，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的加热装置，其特征在于，包括：温度传感器、温度处理器、第一加热部件、第二加热部件、第一控制器和第二控制器；
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热部件包括多个可独立控制的第一加热光源，所述第二加热部件包括多个可独立控制的第二加热光源；
3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述基板包括第一区域和第二区域；
4.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第一加热光源为卤素灯或激光二极管，所述第二加热光源为卤素灯或激光二极管；
5.根据权利要求1至4任一项所述的加热装置，其特征在于，所述无波动的第一温度为预设时长内连续采样的多个实时温度的平均值；所述有波动的第二温度为所述预设时长内多个实时温度与所述第一温度的差值。
6.一种晶圆的加热方法，其特征在于，应用于权利要求1至4任一项所述的加热装置，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彦沣，薛磊，欧登松，刘星星，
申请(专利权)人：深圳市新凯来工业机器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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