【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用 本美国非临时申请根据35U. S.C. § 119，要求申请日为2008年11月26日的韩国 专利申请号10-2008-0118105的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
本专利技术公开了一种制造半导体的装置和方法，更特别地，涉及一种以单晶圆加工 方式支撑半导体基板的基板支撑单元，以及使用该基板支撑单元抛光和清洗基板的基板抛 光装置。 在一般的半导体器件制造过程中，为了形成和堆积薄膜，需要重复执行多个单元 过程，例如沉积、光刻和蚀刻过程。重复执行这些过程直到在薄板上形成期望的预定电路图 案。当该电路图案形成之后，在该薄板的表面上形成许多弯曲部分。由于半导体器件目前 被高度集成并且在结构上具有多层化，薄板表面上弯曲部分的数量和这些弯曲部分之间的 高度差都将增加。结果，由于该薄板表面的不平坦，在光刻过程中将会出现散焦。因此，为 了实现薄板表面的平坦化，应当对薄板表面进行定期抛光。 为了使薄板表面平坦，产生了各种表面平坦化技术。在这些技术当中，化学机械抛 光(CMP)技术被广泛采用，因为，采用CMP技术，宽的表面和窄的表面都可以以良好的平整...
【技术保护点】
一种基板支撑单元，包括：真空板，用于真空吸附基板；夹持部件，插入贯穿所述真空板的孔中；以及驱动部件，垂直移动所述夹持部件以支撑放置在所述真空板上的基板，从而使所述基板向上与所述真空板隔离开。
【技术特征摘要】
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