一种提升突触晶体管短程可塑性的方法技术

技术编号:42239808 阅读:48 留言:0更新日期:2024-08-02 13:52
本发明专利技术公开了一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,包括以下步骤:配置壳聚糖和聚乙烯醇混合固态电解质溶液;将所述固态电解质溶液在带栅电极的衬底上旋涂并烘干;在所述电解质薄膜之上制备晶体管的有源层和源漏电极。本方法改善突触晶体管的电压迟滞效应,增大电压迟滞窗口,降低关态电流,增大器件电流开关比,提升了突触晶体管的短期可塑性。本发明专利技术提供的突触晶体管具有优异突触特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种提升突触晶体管短程可塑性的方法


技术介绍

1、随着信息技术的飞速发展,传统冯·诺依曼计算机在处理实非结构数据方面存在一些局限性,传统的基于冯·诺依曼体系构架的数字计算机由于数据存储单元和计算单元分离,在面对海量数据、处理复杂问题时已显现出其局限性。众所周知,人类大脑神经系统是一个复杂的神经网络结构,可以完美地通过神经元实现存算一体化,因此寻找类人脑的存算一体化的计算机架构体系迫在眉睫。近年来,得益于人工智能、新材料和新器件等
的快速发展,通过微电子学与神经科学的交叉融合,科研人员提出了多种类型的神经形态器件用于模仿生物神经系统基本单元的功能,比如:导电桥、忆阻器或铁电机制的双端突触器件。双端突触器件虽具有结构简单、兼容度高的优点,但是其突触学习功能却非常有限。与两端器件相比,三端器件可以同时处理多端输入的脉冲信号,而且有着良好的记忆特性和学习功能,能更好地模仿神经突触和神经元的脉冲响应行为,实现神经元功能的模仿。在三端仿生突触器件中,以电解质为栅绝缘层的薄膜晶体管依靠电解质中离子在栅极电压作用下而迁移至半导体沟道与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,壳聚糖和聚乙烯醇的质量比为(0.5~1):1。

3.根据权利要求1所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,步骤(1)配置溶液的具体过程为:先将壳聚糖和去离子水混合,再加入醋酸搅拌溶解,形成壳聚糖溶液;将聚乙烯醇加入去离子水中搅拌溶解,形成聚乙烯醇溶液;最后将两种溶液通过超声混合,放入真空箱去除气泡。

4.根据权利要求3所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,加入醋酸的含量为壳聚糖溶液质量...

【技术特征摘要】

1.一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,壳聚糖和聚乙烯醇的质量比为(0.5~1):1。

3.根据权利要求1所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,步骤(1)配置溶液的具体过程为:先将壳聚糖和去离子水混合,再加入醋酸搅拌溶解,形成壳聚糖溶液;将聚乙烯醇加入去离子水中搅拌溶解,形成聚乙烯醇溶液;最后将两种溶液通过超声混合,放入真空箱去除气泡。

4.根据权利要求3所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,加入醋酸的含量为壳聚糖溶液质量的1-2wt%。

5.根据权利要求1或3所述的一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,其特征在于,步骤(1)壳聚...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉荣郭飞云曾小龙耿魁伟朱映彬
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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