一种用于低温共烧陶瓷的表面金导体浆料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于低温共烧陶瓷的表面金导体浆料及其制备方法，涉及金导体浆料技术领域。所述的表面金导体浆料包括如下重量百分含量的组分：50％～94％的微米级金粉、0.1～8％的无机粘接剂和5.9～49.9％有机载体；所述无机粘接剂包括玻璃粉和氧化物粉；所述玻璃粉与配套的生瓷带中的玻璃粉主成分一致，所述玻璃粉的软化点在150～820℃范围内，且比配套的生瓷带中玻璃粉的软化点低50～150℃。本发明专利技术的表面金导体浆料的印刷精度高，具有良好的粘弹性；通过金属浆料中无机粘接剂的调整，与配套生瓷带的共烧匹配良好，不翘曲；烧结后金属层与陶瓷基板的结合力好，电阻率小，玻璃不上浮键合拉力高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金导体浆料，具体涉及一种用于低温共烧陶瓷的表面金导体浆料及其制备方法。

技术介绍

1、电子浆料是由导体颗粒，无机非金属颗粒、有机载体以及相关助剂等组合的一种复合材料。针对不同的应用场景和具体要求，发展出了多种细分品种，如导体浆料、填孔浆料、电阻浆料、绝缘浆料及高温烧结、中温烧结、低温烧结浆料。广泛应用于厚膜集成电路、压敏电阻、薄膜开关、敏感元器件等电子元器件。太阳能电池、电子信息领域的发展，带动了电子浆料行业的发展，同时对电子产品的小型化、集成化、多功能、高可靠提出了越来越高的要求。低温共烧陶瓷(low temperature co-f i red cerami c,ltcc)技术因其优异的电子、机械特性，成为电子元件集成化、模组化的首选。

2、低温共烧陶瓷与导体浆料共烧相容性体现在共烧过程中的物理相容和化学相容性。金属的膨胀系数相对较大、在烧结过程中开始收缩的温度较低，这就导致烧结过程中的不匹配，进而引起集成电路的翘曲。另外金属与陶瓷介质材料在高温下也会发生物理化学作用，导致相互扩散和迁移，严重到影响低温共烧陶瓷中玻璃的转化、析本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述的表面金导体浆料包括如下重量百分含量的组分：50％～94％的微米级金粉、0.1～8％的无机粘接剂和5.9～49.9％有机载体；所述无机粘接剂包括玻璃粉和氧化物粉；所述玻璃粉与配套的生瓷带中的玻璃粉主成分一致，所述玻璃粉的软化点在150～820℃范围内，且比配套的生瓷带中玻璃粉的软化点低50～150℃。

2.根据权利要求1所述一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述氧化物粉为氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化镧、三氧化二钴、氧化镍、氧化铅、氧化铋、氧化镁中的至少一种。

3.根据权利要求1所述一种低温共烧陶瓷的...

【技术特征摘要】

1.一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述的表面金导体浆料包括如下重量百分含量的组分：50％～94％的微米级金粉、0.1～8％的无机粘接剂和5.9～49.9％有机载体；所述无机粘接剂包括玻璃粉和氧化物粉；所述玻璃粉与配套的生瓷带中的玻璃粉主成分一致，所述玻璃粉的软化点在150～820℃范围内，且比配套的生瓷带中玻璃粉的软化点低50～150℃。

2.根据权利要求1所述一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述氧化物粉为氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化镧、三氧化二钴、氧化镍、氧化铅、氧化铋、氧化镁中的至少一种。

3.根据权利要求1所述一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述玻璃粉为cao-b2o3-sio2体系或者pbo-b2o3-sio2体系，且与配套的生瓷带中的玻璃粉主成分一致。

4.根据权利要求1所述一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，当所述有机载体的质量含量低于10％时，所述的表面金导体浆料还包括表面活性剂，或表面活性剂和聚酰亚胺。

5.根据权利要求4所述一种低温共烧陶瓷的表面金导体浆料，其特征在于，所述表面活性剂的添加量占所述有机载体质量的0.1～30％；所述表面活性剂与所述聚酰亚胺的质量比为0～3:2～9；所述表面活性剂为油酸、油氨、聚氨酯类活性剂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜兆富，闫沁宇，闫旭，曹迪，袁礼新，王立强，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：