导线结构制造技术

本申请公开了一种导线结构，该导线结构包括：焊盘，包括第一区以及与第一区区分的第二区，第一区包括高于第二区的一凸起，凸起的一表面为非平坦表面；金属绝缘体金属电容器结构，沿第一区和第二区设置。在上述技术方案中，借由沿焊盘的第一区和第二区设置金属绝缘体金属电容器结构，因此可以不通过模封制程来制作金属绝缘体金属电容器结构，从而与现有的借由模封制程来形成去耦电容器会具有较大翘曲相比，可以降低翘曲。另外，通过设置凸起可以根据需求来调整金属绝缘体金属电容器结构的有效面积，从而调整电容值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种导线结构。

技术介绍

1、一般供电网络(pdn，power delivery network)皆需要搭配电容进行去耦合(decoupling)处理来移除传递路径上耦合到的杂讯。常见作法是将去耦合电容器(decap，decoupling capacitor)并列放置于pcb(printed circuit board，印制电路板)上，但由于去耦合电容器与ic(integrated circuit，集成电路)芯片之间的路径较长，导致去耦合效果较差。因此，去耦合电容器的设计趋势是将去耦合电容器整合进封装结构内。

2、在先进封装领域中，针对路径改善的需求，可以硅电容器(si-cap，siliconcapacitor)取代传统的mlcc(multilayer ceramic capacitor，多层片式陶瓷电容器)。如图1所示，在扇出模组(fo-module)10中，可以将电容器12(例如硅电容器)置入fo-rdl(fanout-redistribution layer，扇出重布线层)18、19的夹层中，以位于fo-r本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种导线结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述凸起的所述表面由多个金属线的端部定义。

3.根据权利要求2所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构部分延伸至所述多个金属线之间。

4.根据权利要求3所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构内的金属层与所述凸起的所述表面共形。

5.根据权利要求3所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构内的金属层包括凹部，所述凹部位于所述多个金属线之间的间隔上方。

6.根据权利要求5所述的导线结构，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种导线结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的导线结构，其特征在于，所述凸起的所述表面由多个金属线的端部定义。

3.根据权利要求2所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构部分延伸至所述多个金属线之间。

4.根据权利要求3所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构内的金属层与所述凸起的所述表面共形。

5.根据权利要求3所述的导线结构，其特征在于，所述金属绝缘体金属电容器结构内的金属层包括凹部，所述凹部位于所述多个金属线之间的间隔上方。

6.根据权利要求5所述的导线结构，其特征在于，所述凹部的内侧表面包括曲面。

7.根据权利要求4所述的导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄弘毅，孔政渊，林弘毅，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：