一种四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；以二甲基二氯硅烷和二甲基二乙烯基硅烷为原料，通过歧化反应生成二甲基乙烯基氯硅烷；反应液经脱轻塔和脱重塔脱除轻、重组分杂质，二甲基乙烯基氯硅烷与二甲基二乙烯基硅烷无需分离，一同进入氨化反应器，加氨进行氨化反应，然后经分离纯化得到纯度为99.5％的四甲基二乙烯基二硅氮烷产品。本发明专利技术采用价格较低、来源稳定的二甲基二氯硅烷和二甲基二乙烯基硅烷作为原料，解决了原料成本高的问题。将歧化反应剩余的二甲基二乙烯基硅烷直接用作惰性溶剂参与氨化反应，不引入其他组分，节省了能耗及设备投资，并有效减少了氯化铵对产物和原料的包裹，提高了产品收率和纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化工合成领域，具体涉及一种四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法。

技术介绍

1、四甲基二乙烯基二硅氮烷(简称乙烯基硅氮烷)，化学式为c8h19nsi2，常温常压下为无色透明液体。四甲基二乙烯基二硅氮烷分子中的si-n键非常活泼，极易与si-oh基团发生缩合，使得亲水的si-oh基团被二甲基乙烯基硅氧基所取代。利用这一性质，可以赋予材料表面可反应性和可修饰性，也可以改变材料表面或界面性质。例如，将四甲基二乙烯基二硅氮烷用作气相法sio2、tio2等粉体材料的表面改性剂，可以增强粉体填料的疏水性，使其易在聚合物基体分散均匀，进而制备得到具有适宜力学性能的有机聚合物复合材料。四甲基二乙烯基二硅氮烷还可用作光刻胶的粘接助剂，使硅衬底的表面性质由亲水性转变为疏水性，增强光刻胶与硅衬底之间的粘附性。

2、制备四甲基二乙烯基二硅氮烷主要采用以下两种工艺。一是气相法，以pt、pd等贵金属为催化剂，二甲基乙烯基氯硅烷与氨气在高温下进行气相反应制得四甲基二乙烯基二硅氮烷。该法的优点是产品收率和纯度较高，但使用贵金属催化剂致使成本高昂，且反应条件对设备要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中二甲基二氯硅烷和二甲基二乙烯基硅烷质量比为1:1.5-4。

3.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中歧化反应温度为150-300℃，压力为0.8-8.0MPa。

4.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中歧化反应空时为0.75-2h。

5.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中轻组分杂质主...

【技术特征摘要】

1.一种四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中二甲基二氯硅烷和二甲基二乙烯基硅烷质量比为1:1.5-4。

3.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中歧化反应温度为150-300℃，压力为0.8-8.0mpa。

4.如权利要求1所述的四甲基二乙烯基二硅氮烷的制备方法；其特征是，步骤(1)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：许春建，胡虹舟，孟祥军，杨成勇，苏瑞，郑凯天，李玲，何永超，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：