一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法技术

本发明专利技术属于碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法，碳化硅连续长晶设备包括固定轴、旋转升降机构、合成室、长晶室、热处理室、真空系统和调温系统。真空系统和调温系统为每一道工序提供所需要的压强和温度。在第一方向上，热处理室、长晶室和合成室依次设置，可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序，节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通；长晶室能与热处理室连通，坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内，使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序，简化了加工过程，节省人力，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅，尤其涉及一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法。

技术介绍

1、目前，生长碳化硅晶体最成熟最有效的方式是物理气相输运法(pvt)，物理气相运输法的基本原理是：将原材料放置在坩埚中，将籽晶固定在坩埚顶部的坩埚盖，在高温和低压下使原材料升华，升华后的气体发生质量传输，最终输运至坩埚顶部的籽晶处，在籽晶处向下结晶生长以形成碳化硅晶体。

2、为获得高品质和高良率的碳化硅晶体，要对碳化硅原材料做烧结处理，合成大尺寸的原材料，同时尽可能排出原材料和设备中吸附的氮。而此过程需要在高温下，经过一定的处理时间才能实现，如果使用顶部固定好籽晶的长晶炉，过程中高温会导致籽晶刻蚀，降低碳化硅晶体品质甚至报废。

3、为了使生产的碳化硅晶体达到标准，现有技术采用多个独立的专用合成设备，经过第一道升温、长时间保温以及降温来合成原材料；合成的原材料，装入长晶炉，经过第二道升温、长时间保温以及降温过程实现长晶；为了消除内应力，降低晶体在后续加工过程中开裂的风险，采用独立的专用热处理设备，经过第三道升温、长时间保温、降温来热处理晶体以获得最本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述碳化硅连续长晶设备包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述旋转升降机构(4)包括两个连接件和两个旋转驱动件，两个所述连接件均转动设于所述固定轴(47)，两个所述旋转驱动件均固定于所述固定轴(47)，并分别与对应的所述连接件传动连接，所述合成室(1)和所述长晶室(2)分别与对应的所述连接件固定连接。

3.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述旋转升降机构(4)还包括：

4.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述合成室(1)设有合成隔挡组件，所述长晶...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述碳化硅连续长晶设备包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述旋转升降机构(4)包括两个连接件和两个旋转驱动件，两个所述连接件均转动设于所述固定轴(47)，两个所述旋转驱动件均固定于所述固定轴(47)，并分别与对应的所述连接件传动连接，所述合成室(1)和所述长晶室(2)分别与对应的所述连接件固定连接。

3.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述旋转升降机构(4)还包括：

4.根据权利要求1所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述合成室(1)设有合成隔挡组件，所述长晶室(2)设有第一长晶隔挡组件和第二长晶隔挡组件，所述热处理室(3)设有热处理隔挡组件，所述合成隔挡组件和所述第一长晶隔挡组件用于连通或分隔所述合成室(1)和所述长晶室(2)；所述第二长晶隔挡组件和所述热处理隔挡组件用于连通或分隔所述长晶室(2)和所述热处理室(3)。

5.根据权利要求4所述的碳化硅连续长晶设备，其特征在于，所述合成隔挡组件包括合成隔挡件(11)和合成隔挡驱动件(12)，所述合成室(1)具有上开口，所述合成隔挡件(11)移动设于所述合成室(1)的上开口处，所述合成隔挡驱动件(12)设于所述合成室(1)，且所述合成隔挡驱动件(12)...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令鸿，郭雄志，何恺，
申请(专利权)人：深圳市铂科新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：