【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，具体涉及一种图形化复合衬底及led芯片。
技术介绍
1、发光二极管（led，light emitting diode）是一种半导体固体发光器件，其利用半导体pn结作为发光材料，可以直接将电转换为光。如图1显示的是传统的发光二极管的图形化衬底结构。在蓝宝石衬底1上依次生长n型半导体层、量子阱层、p型半导体层，为了提高光反射效率会在p型半导体层上设置dbr反射镜5。
2、在发光二极管的制作时会先以激光切割衬底1，再以裂片机构在沟槽3内从dbr反射镜5做劈裂，实现芯粒与芯粒之间的完全分离。在劈裂时dbr反射镜5、p型半导体层4、量子阱层3、n型半导体层2会受到物理性破坏，因p型半导体层4、量子阱层3、n型半导体层2结构属于氮化镓材料，硬度相对较高，所以划裂后不会有乱裂现象。但dbr反射镜5属于二氧化硅与三氧化二钛材料，性质易碎，因此经过劈裂后，会无规则的随机乱裂，影响芯片发光区。
技术实现思路
1、本技术的目的在于：提供一种图形化复合衬底，能够减少在裂片时dbr反射...
【技术保护点】
1.一种图形化复合衬底，其特征在于：包括衬底本体（1）以及阵列设置于该衬底本体（1）上的凸起结构（2），所述凸起结构（2）周围设置有凸起平台（4），所述凸起结构（2）和所述凸起平台（4）之间设有沟槽（3），所述凸起结构（2）、沟槽（3）、凸起平台（4）的表面覆盖有反射层（5）。
2.根据权利要求1所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述凸起平台（4）靠近所述凸起结构（2）的一侧表面为倾斜面，倾角为30°~90°。
3.根据权利要求1所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述凸起结构（2）为发光结构，包括第一半导体层（6）、第二半导体层（7）以...
【技术特征摘要】
1.一种图形化复合衬底，其特征在于：包括衬底本体（1）以及阵列设置于该衬底本体（1）上的凸起结构（2），所述凸起结构（2）周围设置有凸起平台（4），所述凸起结构（2）和所述凸起平台（4）之间设有沟槽（3），所述凸起结构（2）、沟槽（3）、凸起平台（4）的表面覆盖有反射层（5）。
2.根据权利要求1所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述凸起平台（4）靠近所述凸起结构（2）的一侧表面为倾斜面，倾角为30°~90°。
3.根据权利要求1所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述凸起结构（2）为发光结构，包括第一半导体层（6）、第二半导体层（7）以及位于第一半导体层（6）与第二半导体层（7）之间的发光层（8），所述反射层（5）为dbr反射层。
4.根据权利要求3所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述衬底本体（1）与所述第一半导体层（6）之间设置有覆盖层（9），所述凸起结构（2）和凸起平台（4）设置在所述覆盖层（9）上。
5.根据权利要求4所述的一种图形化复合衬底，其特征在于：所述沟槽（3）暴露出所述覆盖层（9）的上...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋宗勳，王东明，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。