【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,具体涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、互连技术是在半导体制造的后段工艺(back end of line,beol)中制造金属互连结构,以对半导体器件进行布线形成半导体器件所需电路。半导体集成电路技术的飞速发展不断对互连技术的发展提出新的要求,随着半导体器件的尺寸不断收缩,互连结构变得越来越窄,从而导致互连电阻越来越高。为了降低互连电阻,通常采用电阻率低的金属作为互连材料,例如,铝、铜、钨等,其中,铜因其具有更低的电阻率和更好的电迁移性能而逐渐成为主流的互连材料。但是这些金属材料也都存在金属离子扩散的问题,尤其是铜作为互连材料,在半导体制造过程中,金属互连结构中的金属离子向其周围的介质层中扩散,会导致介质层的绝缘性能降低和电路短路,从而影响半导体器件的可靠性和寿命。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点,本专利技术提供一种半导体结构及其制备方法,以改善金属互连结构中的金属离子扩散问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的,本专利技术提供一种
...【技术保护点】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述金属互连结构包括由下至上依次设置的扩散阻挡层、种子层和互连金属层,所述金属帽层设置在所述互连金属层的顶壁和与所述第二层间介质层相邻的侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构,其特征在于,所述金属帽层选自钴、镍、钽、氮化钽、钌、钴钨磷化物、含氮钴化物中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括介质帽层,所述介质帽层设置在所述金属帽层和所述第二层间介质层之间。
5.根据权利要求1所述的半
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述金属互连结构包括由下至上依次设置的扩散阻挡层、种子层和互连金属层,所述金属帽层设置在所述互连金属层的顶壁和与所述第二层间介质层相邻的侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构,其特征在于,所述金属帽层选自钴、镍、钽、氮化钽、钌、钴钨磷化物、含氮钴化物中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括介质帽层,所述介质帽层设置在所述金属帽层和所述第二层间介质层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括空气...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭发龙,吴卓杰,唐凌,成悦兴,郝丽婷,
申请(专利权)人:杭州积海半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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