温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构包括：基底、第一层间介质层、金属互连结构和第二层间介质层，所述第一层间介质层设置在所述基底上，所述第一层间介质层中设有导电结构；所述金属互连结构设置在所述第一层间介...
该专利属于杭州积海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州积海半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。