一种防止隔离沟槽缺陷的方法及半导体制备方法技术

本发明专利技术公开了一种防止隔离沟槽缺陷的方法及半导体制备方法，其中防止隔离沟槽缺陷的方法包括：提供一衬底；在衬底上形成若干隔离沟槽，隔离沟槽之间为有源区域，有源区域上依次形成氧化物层、氮化硅层和缓冲层；通过干法刻蚀形成隔离沟槽刻蚀形貌；在隔离沟槽刻蚀形貌上沉积氧化物；通过化学抛光技术清除氧化物；通过电性测试去除残余的缓冲层和隔离沟槽中与氮化硅层对应高度上方的氧化物。本发明专利技术通过在氮化硅层顶部增加一层缓冲层，在移除氮化硅层之前，该缓冲层能够在隔离沟槽形成凸起轮廓，在进行化学机械抛光技术过程中，能够起到缓冲作用，防止化学机械抛光过度导致出现凹陷和侵蚀缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种防止隔离沟槽缺陷的方法及半导体制备方法。

技术介绍

1、半导体器件发展至今，sti(shal low trench isolation，浅沟隔离)技术已经在0.18微米以及以下制程广泛应用，伴随摩尔定律，器件尺寸不断下探至3纳米，沟槽临界尺寸(trench cd)也对应压缩，制程越发精细的同时对通过化学机械抛光技术加工sti(cmpsti layer process)也带来新的挑战，现今在对应站点，化学机械抛光技术(cmp)后通常会发现凹陷(dishing)和侵蚀缺陷(erosion defect)，特别是间隙填充(gap fi l l)要求比较高的制程。

2、现有的防止隔离沟槽缺陷的方法通常是采用浅沟隔离工具将硅氮化物作为化学抛光过程的停止层，但是依然无法有效避免出现凹陷和侵蚀缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种防止隔离沟槽缺陷的方法及半导体制备方法，以解决现有的防止隔离沟槽缺陷的方法通常是采用浅沟隔离工具将硅氮化物作为化学抛光过程的停止层，但是依然无本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述缓冲层为多晶硅层。

3.如权利要求1所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述衬底为晶圆衬底。

4.如权利要求3所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀形成隔离沟槽刻蚀形貌，包括：

5.如权利要求4所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述在所述晶圆衬底的表面形成保护层薄膜，包括：

6.如权利要求4所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述在所述保护层薄膜上掺杂多晶硅，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述缓冲层为多晶硅层。

3.如权利要求1所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述衬底为晶圆衬底。

4.如权利要求3所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀形成隔离沟槽刻蚀形貌，包括：

5.如权利要求4所述的防止隔离沟槽缺陷的方法，其特征在于，所述在所述晶圆衬底的表面形成保护层薄膜，包括：

6.如权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯才，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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