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本发明公开了一种防止隔离沟槽缺陷的方法及半导体制备方法，其中防止隔离沟槽缺陷的方法包括：提供一衬底；在衬底上形成若干隔离沟槽，隔离沟槽之间为有源区域，有源区域上依次形成氧化物层、氮化硅层和缓冲层；通过干法刻蚀形成隔离沟槽刻蚀形貌；在隔离沟槽...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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