一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，将SiC纤维在保护性气体与CO气体的混合气氛中进行热处理即得表面带有原位自生长碳涂层的SiC纤维，所述SiC纤维的氧含量为3~15%；所述热处理的温度为1300~1600℃，热处理的时间为0.5~8h，本发明专利技术采用上述氧含量的SiC纤维，在1300℃以上的高温下，SiC纤维中的SiC<subgt;x</subgt;O<subgt;y</subgt;相会发生分解产生SiO，CO气体，而在含CO气体的气氛下，分解产生的CO将会受到抑制从而在纤维表面留下一层富碳层，由于本发明专利技术的涂层为原位自生长，因此不仅均匀性好，而且结合性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纤维表面界面层制备领域，具体的涉及一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法。

技术介绍

1、sic纤维具备高强高模、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、耐磨损、低密度等一系列的特性，而且其电阻率可以进行调控，拥有独特的电磁性能，还可用于吸波隐身领域，集结构-隐身-防热于一体，在航空航天等高端领域有着广泛的应用。

2、碳涂层是sic纤维上常见的表面涂层，其与sic纤维的结合性好，不会发生界面反应，且能够对纤维形成保护作用，在制备复合材料时，能大幅提高复合材料的力学性能；除此之外，通过调整碳涂层的厚度，还可以改变sic纤维的电阻率，扩大其在隐身方面的应用。碳涂层的制备方法一般有两种，一种为化学气相沉积法，另一种为液相浸渍裂解法。化学气相沉积法制备的碳涂层性能较好，但存在制备时间长，碳源转化率低，以及涂层均匀性难以保证等问题。陆子龙等人的专利cn 115044883 a使用连续走丝的气相沉积法在sic纤维表面制备了碳涂层，改善了涂层的均匀性，但是沉积效率较低，成本高。液相浸渍裂解法制备的碳涂层，不仅存在均匀性难以保证的问题，而且涂层与纤维结合力差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：将SiC纤维在保护性气体与CO气体的混合气氛中进行热处理即得表面带有原位自生长碳涂层的SiC纤维，

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述SiC纤维的氧含量为8~14%。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述SiC纤维的制备过程为：将PCS聚合物进行熔融纺丝，然后进行不熔化处理，再经高温处理即得。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述不熔化处理的过程...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：将sic纤维在保护性气体与co气体的混合气氛中进行热处理即得表面带有原位自生长碳涂层的sic纤维，

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述sic纤维的氧含量为8~14%。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述sic纤维的制备过程为：将pcs聚合物进行熔融纺丝，然后进行不熔化处理，再经高温处理即得。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其特征在于：所述不熔化处理的过程为：将熔融纺丝所得原丝置于在空气气氛中，于180~220℃保温0.5~5h。

5.根据权利要求3所述的一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小忠，易君，吴李聪，肖义凡，
申请(专利权)人：湖南泽睿新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：