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一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法技术
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文档序号:42201340
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本发明公开了一种碳化硅纤维表面原位生长碳涂层的制备方法,将SiC纤维在保护性气体与CO气体的混合气氛中进行热处理即得表面带有原位自生长碳涂层的SiC纤维,所述SiC纤维的氧含量为3~15%;所述热处理的温度为1300~1600℃,热处理的时...
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