一种在碳化硅纤维表面原位合成Ti-Si-C复合界面相的方法技术

本发明专利技术公开了一种在碳化硅纤维表面原位合成Ti‑Si‑C复合界面相的方法，该方法以碳源和硅源为原料采用化学气相沉积法在碳化硅纤维表面依次交替沉积PyC和SiC涂层，得到PyC‑SiC‑PyC复合涂层碳化硅纤维；PyC‑SiC‑PyC复合涂层碳化硅纤维包埋于含Ti熔盐粉末中并进行热处理得到。通过本发明专利技术提高了所得复合涂层的均匀性，可控性，得到的复合材料力学性能优异，氧化后弯曲强度保留95％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能界面相和复合材料，涉及一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法。

技术介绍

0、技术背景

1、第三代sic纤维由于具有较好的耐辐射性能，被认为是最有潜力用于核应用的sicf/sic复合材料的增强材料。sicf/sic复材中，为使复材获得伪塑性断裂特征，提高损伤容限，需在纤维上制备界面相，从而调节纤维与基体间的结合强度。而现有的界面相(pyc、bn)在面对辐射时的性能均不尽人意。pyc(热解碳)在中子辐射下，容易发生结构转变，导致复合材料力学性能快速下降；由于bn相中存在中子强吸收元素b，所以不能应用到核包壳材料中。sic虽然具有良好的耐辐射性能，但是界面强度无法控制，复合材料力学性能较差，需与pyc或bn复合使用，因此，需要一种新的涂层材料以进一步提升sicf/sic的耐辐照性。

2、在中子辐照下，tic由于具有较低的中子吸收截面，拥有良好的结构稳定性。钛硅碳(ti3sic2)是一种新型三元化合物max相，由于具有与tic相似的局部原子结构，继承了其碳化物的高耐中子辐照性能。还具有较高的内在断裂韧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在碳化硅纤维表面原位合成Ti-Si-C复合界面相的方法，其特征在于：以碳源和硅源为原料采用化学气相沉积法在碳化硅纤维表面依次交替沉积PyC和SiC涂层，得到PyC-SiC-PyC复合涂层碳化硅纤维；所述PyC-SiC-PyC复合涂层碳化硅纤维包埋于含Ti熔盐粉末中并进行热处理，洗涤、干燥即得。

2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成Ti-Si-C复合界面相的方法，其特征在于：所述碳化硅纤维表面由外到内依次沉积PyC层A、SiC层和PyC层B。

3.根据权利要求2所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成Ti-Si-C复合界面相的方法，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法，其特征在于：以碳源和硅源为原料采用化学气相沉积法在碳化硅纤维表面依次交替沉积pyc和sic涂层，得到pyc-sic-pyc复合涂层碳化硅纤维；所述pyc-sic-pyc复合涂层碳化硅纤维包埋于含ti熔盐粉末中并进行热处理，洗涤、干燥即得。

2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法，其特征在于：所述碳化硅纤维表面由外到内依次沉积pyc层a、sic层和pyc层b。

3.根据权利要求2所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法，其特征在于：

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成ti-si-c复合界面相的方法，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的一种在碳化硅纤维表面原位合成ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小忠，龚玲婷，陈旋，戴吉，
申请(专利权)人：湖南泽睿新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：