【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
1、在先进制程芯片设计中，晶体管密度越来越高，功耗随之增大，为了让电源稳定输送到器件，提高使用效率，芯片的电源物理版图需要完全符合设计者预期，不能随意改动。
2、当前芯片电源物理版图的缺陷检测方法包括：在芯片物理实现阶段，使用电子设计自动化(electronic design automation，eda)工具抽取电源的形状图形，发现同一电源名的图形在不同金属层的重叠区域，是否有遗漏通孔。
3、现有的芯片电源物理版图的缺陷检测方法只能看到通孔缺失，不能确定电源布线缺失。
4、综上可知，现有的芯片电源物理版图的缺陷检测不全面。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，用以解决现有技术中芯片电源物理版图的缺陷检测不全面的缺陷，实现提高芯片电源物理版图的缺陷的全面检测。
2、第一方面，本专利技术提供...
【技术保护点】
1.一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，应用于物理验证工具，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述将每一所述芯片金属层中的所有所述通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一所述芯片金属层的预期电源物理版图，包括：
3.根据权利要求2所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述在每一所述芯片金属层上，基于至少一个所述通孔，确定至少一个扩展通孔，包括：
4.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，
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【技术特征摘要】
1.一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，应用于物理验证工具，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述将每一所述芯片金属层中的所有所述通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一所述芯片金属层的预期电源物理版图，包括：
3.根据权利要求2所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述在每一所述芯片金属层上，基于至少一个所述通孔，确定至少一个扩展通孔，包括：
4.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，包括：
5.根据权利要求4所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述获取第一电源线和第二电源线的至少一个重叠区域之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海壁仞科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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