半导体器件、集成电路以及电子设备制造技术

本申请的实施例提供一种半导体器件、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，该半导体器件兼具高击穿电压BV以及低比导通电阻Ron，sp。该半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的有源层；有源层包括第一掺杂区域以及与第一掺杂区域接触的第二掺杂区域，第一掺杂区域与第二掺杂区域的掺杂类型不同；设置于有源层上的至少两层介电材料层；以及设置于介电材料层中的至少两个场板，场板贯穿一层或多层介电材料层，并且场板在有源层上的投影与第二掺杂区域存在交叠，场板靠近有源层的一端与有源层绝缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张全良，姚昌荣，吴亮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：