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本申请的实施例提供一种半导体器件、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，该半导体器件兼具高击穿电压BV以及低比导通电阻Ron，sp。该半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的有源层；有源层包括第一掺杂区域以及与第一掺杂区域接触的第二掺杂区域...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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