System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 干膜抗蚀剂及其制备方法与应用技术_技高网

干膜抗蚀剂及其制备方法与应用技术

技术编号:42193200 阅读:19 留言:0更新日期:2024-07-30 18:42
本发明专利技术公开了一种干膜抗蚀剂及其制备方法与应用,其中干膜抗蚀剂包括以下重量份的原料组分:50‑70份碱溶性树脂溶液、30‑40份光聚合单体、0.2‑5份光引发剂;所述光聚合单体为含不饱和双键的光聚合化合物,所述光聚合化合物包括HEMA‑IPDI‑R‑IPDI‑HEMA,其中R的重均分子量为1000‑3000g/mol,所述R为聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚己内酯二醇、聚己二酸‑1,4‑丁二醇酯二醇中的一种。本发明专利技术制备的HEMA‑IPDI‑R‑IPDI‑HEMA与碱溶性高分子树脂共同作用形成的干膜抗蚀剂在印刷电路板表面流动性降低,在100μm的孔径中表现优异,可以改善干膜抗蚀剂的塞孔性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图纹面的照相制版用材料,特别地,涉及一种干膜抗蚀剂及其制备方法与应用


技术介绍

1、随着科技的进步和发展,近年来电子设备逐渐向轻薄短小的方向发展,其搭载的印刷电路板图案的尺寸越来越小,为了提高小尺寸电路板的良品率。因此需要干膜抗蚀剂同时具有优异的解析度和附着力。随着印刷电路板的精密度提高,印刷电路板中用于连接布线层间的通孔数增加,通孔直径减小,湿压干膜在压膜曝光过程中容易将干膜压膜入小孔中,在显影褪膜阶段难以将压入小孔中的干膜完全洗脱,导致出现塞孔现象,导致后续孔壁无法进行电镀等作业,容易导致孔壁没有导电层,使线路板短路。现有工艺中通过增加干膜抗蚀剂的附着力或者调整线路板的加工工艺改善干膜抗蚀剂的塞孔问题,但是效果不佳。因此开发一种与印刷线路板附着力好,并且不易塞孔的干膜抗蚀剂至关重要。

2、现有技术如专利cn11055663961a一种含磷的聚氨酯丙烯酸酯低聚物及其制备方法与应用中所提到的含磷的聚氨酯丙烯酸酯低聚物,该专利合成使用的醇为三官以上的多元醇,形成一种环状刚性结构,因此主要赋于干膜附着力。中国专利技术专利cn200610082639.4公开了一种干膜抗蚀剂,采用含羧基的粘合剂与特定结构的光聚合单体共同作用,使光聚合性树脂组合物中含有自由基聚合抑制剂,制备得到的光聚合性树脂组合物的热稳定性、保存稳定性优异,但是没有解决小通孔的印刷线路板的塞孔问题。中国专利技术专利cn201710500105.7公开了一种树脂组合物及用途,通过调控光聚合单体中亲水基团环氧乙烷(eo)与疏水基团环氧丙烷(po)摩尔比,制得的树脂组合物用作干膜抗蚀剂时,具有退膜不塞孔、退膜速度快等特性,但是抑制塞孔的效果不显著,在大批量加工生产中还是具有一定的残品率。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种干膜抗蚀剂及其制备方法与应用,以解决现有干膜抗蚀剂用于印刷线路板中存在塞孔的技术问题。

2、根据本专利技术的一个方面,提供一种干膜抗蚀剂,包括以下重量份的原料组分:50-70份碱溶性树脂溶液、30-40份光聚合单体、0.2-5份光引发剂;

3、所述光聚合单体为含不饱和双键的光聚合化合物,所述含不饱和双键的光聚合化合物包括hema-ipdi-r-ipdi-hema,其结构式如下:

4、

5、其中r的重均分子量为1000-3000g/mol,所述r为聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚己内酯二醇、聚己二酸-1,4-丁二醇酯二醇中的一种,

6、所述干膜抗蚀剂在100μm的孔径中的塞孔率低于2.2%。

7、进一步的,包括以下重量份的原料组分:56-60份碱溶性树脂、30-40份光聚合单体、3-5份光引发剂。

8、进一步的,所述hema-ipdi-r-ipdi-hema在所述光聚合单体中的质量百分比为20-100%。

9、进一步的,所述含不饱和双键的光聚合化合物还包括含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物,所述含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物包括乙氧基壬基酚丙烯酸酯、丙氧基乙氧基二甲基丙烯酸酯、乙氧基双酚a二甲基丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸四氢呋喃甲酯、丙烯酸二噁茂酯、1,2-苯二甲酸-2-羟基乙基-2-[(2-丙烯酰基)氧基]乙基酯;聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化双酚a二丙烯酸酸脂、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羟基甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化甘油三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯中的一种或者多种。

10、进一步的,所述碱溶性树脂包括甲基丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、酚醛类树脂中的一种或多种;

11、所述碱溶性树脂的分子量为50000-100000g/mol。

12、进一步的,所述碱溶性树脂的合成单体包括甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、苯乙烯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯中的一种或多种。

13、进一步的,所述光引发剂包括安息香醚、二苯甲酮及其衍生物、硫杂蒽酮系列化合物、蒽醌及其衍生物、噻吨酮系列化合物、六芳基双咪唑系列化合物中的一种或多种。

14、进一步的,所述干膜抗蚀剂还包括以下重量份的原料组分:0.5-10份助剂和30-50份溶剂。

15、根据本专利技术的另一方面,还提供了一种干膜抗蚀剂的制备方法,包括以下步骤:

16、(1)制备碱溶性树脂:在体系内加入丁酮,加热回流,将碱溶性树脂的合成单体与引发剂混合后匀速滴入体系内,滴加时间为1-4h,保温1-2h,继续滴加引发剂和丁酮的混合物,滴加时间为20-40min,然后保温3-5h,得到碱溶性树脂,备用;

17、(2)制备光聚合化合物hema-ipdi-r-ipdi-hema:将r和异佛尔酮二异氰酸酯在甲苯溶液中混合均匀,在50-70℃下反应1-3h,然后滴加含有催化剂的甲基丙烯酸羟乙酯,滴加时间为40-80min,70-80℃反应3-6h,测定nco含量<0.1wt%,即得hema-ipdi-r-ipdi-hema;

18、(3)将碱溶性树脂、光聚合单体、光引发剂、助剂和溶剂混合得到干膜抗蚀剂涂布液;

19、(4)将干膜抗蚀剂涂布液进行涂布烘烤,得到干膜抗蚀剂。

20、根据本专利技术的再一方面,还提供了一种干膜抗蚀剂在柔性线路板上的应用。

21、本专利技术具有以下有益效果:

22、本专利技术通过将光聚合单体hema-ipdi-r-ipdi-hema与碱溶性高分子树脂共同作用,使hema-ipdi-r-ipdi-hema中的2个氨基甲酸酯基团与碱溶性高分子树脂中2个以上的羧基通过“氢键”连接,“氢键”的强度介于分子作用力与化学键之间,强度较大,可以形成类似空间网络结构的“物理交联”,降低了膜材静态流动性。因此,本专利技术制备的光聚合单体hema-ipdi-r-ipdi-hema与碱溶性高分子树脂共同作用形成的干膜抗蚀剂在印刷电路板表面流动性降低,在100μm的孔径中表现优异,可以改善干膜抗蚀剂的塞孔性能,在印刷电路板表面不易发生塞孔问题。

23、本专利技术与专利cn11055663961a一种含磷的聚氨酯丙烯酸酯低聚物及其制备方法与应用中所提到的含磷的聚氨酯丙烯酸酯低聚物,不同点在于,该专利合成使用的醇为三官以上的多元醇,形成一种环状刚性结构,因此主要赋于干膜附着力;而本专利技术的光聚合单体hema-ipdi-r-ipdi-hema中r为具备一定分子量的双官结构的二元醇,可通过调节分子量,调节2个不饱和键之间的距离从而改变化合物固化后的交联密度;且采用双官的二元醇结构会使产品在干膜中具备一定的柔韧性,在fpc软板湿压使用过程中能够在降低流动性的同时使柔性电路板具有良好的润湿效果,在印刷电路板表面铺展良好。

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【技术保护点】

1.一种干膜抗蚀剂,其特征在于,包括以下重量份的原料组分:50-70份碱溶性树脂溶液、30-40份光聚合单体、0.2-5份光引发剂;

2.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,包括以下重量份的原料组分:56-60份碱溶性树脂溶液、30-40份光聚合单体、3-5份光引发剂。

3.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述HEMA-IPDI-R-IPDI-HEMA在所述光聚合单体中的质量百分比为20-100%。

4.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述含不饱和双键的光聚合化合物还包括含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物,所述含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物包括乙氧基壬基酚丙烯酸酯、丙氧基乙氧基二甲基丙烯酸酯、乙氧基双酚A二甲基丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸四氢呋喃甲酯、丙烯酸二噁茂酯、1,2-苯二甲酸-2-羟基乙基-2-[(2-丙烯酰基)氧基]乙基酯;聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二丙烯酸酸脂、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羟基甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化甘油三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯中的一种或者多种。

5.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述碱溶性树脂包括甲基丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、酚醛类树脂中的一种或多种;

6.根据权利要求5所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述碱溶性树脂的合成单体包括甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、苯乙烯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述光引发剂包括安息香醚、二苯甲酮及其衍生物、硫杂蒽酮系列化合物、蒽醌及其衍生物、噻吨酮系列化合物、六芳基双咪唑系列化合物中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述干膜抗蚀剂还包括以下重量份的原料组分:0.5-10份助剂和30-50份溶剂。

9.一种根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

10.一种如权利要求1-8任一项所述的干膜抗蚀剂在柔性线路板上的应用。

...

【技术特征摘要】

1.一种干膜抗蚀剂,其特征在于,包括以下重量份的原料组分:50-70份碱溶性树脂溶液、30-40份光聚合单体、0.2-5份光引发剂;

2.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,包括以下重量份的原料组分:56-60份碱溶性树脂溶液、30-40份光聚合单体、3-5份光引发剂。

3.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述hema-ipdi-r-ipdi-hema在所述光聚合单体中的质量百分比为20-100%。

4.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂,其特征在于,所述含不饱和双键的光聚合化合物还包括含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物,所述含乙烯基不饱和基团的光聚合化合物包括乙氧基壬基酚丙烯酸酯、丙氧基乙氧基二甲基丙烯酸酯、乙氧基双酚a二甲基丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸四氢呋喃甲酯、丙烯酸二噁茂酯、1,2-苯二甲酸-2-羟基乙基-2-[(2-丙烯酰基)氧基]乙基酯;聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化双酚a二丙烯酸酸脂、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖志义党泽龑毛灿王爱军安德烈
申请(专利权)人:湖南初源新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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