【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理，特别涉及一种等离子体产生装置和等离子体处理设备。
技术介绍
1、等离子体处理设备是用于对反应腔体内的晶圆或电路板表面进行等离子体处理的设备，通过等离子体产生装置将工艺气体在电极产生的电场作用下形成等离子体，等离子体在反应腔体内与晶圆或电路板表面发生反应，从而对反应腔体内的晶圆或电路板进行等离子体刻蚀；或者利用等离子体来促进气体分子的分解和化学反应，从而在较低的温度下实现薄膜的生长，进行等离子体增强化学气相沉积（pecvd）。这种方法特别适合于沉积诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅等材料。
2、等离子刻蚀时，进气结构，一般采用进气管直接通入反应腔体，由于进气管和腔体尺寸的差别比较大，进气后，气体的压力和流量梯度较大，导致等离子刻蚀注入的工艺气体均匀一致性差。这样，在射频加载后，启辉得到的等离子体均匀一致性难以保证，腔体内部水平方向气体分布梯度较大，导致等离子体在工件表面的密度分布不均匀，造成刻蚀速率的均匀性不一致。等离子体增强化学气相沉积时，工艺气体的分布不均匀，可能会导致在衬底上沉积的薄膜厚度不一致，影响...
【技术保护点】
1.一种等离子体产生装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述进气通道包括沿第一方向依次间隔设置的第一通道和第二通道；
3.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述第一扩散板上设有多个第一扩散孔，所述第二扩散板上设有多个第二扩散孔；
4.如权利要求3所述的等离子体产生装置，其特征在于，至少部分所述第一扩散孔沿所述进气口至所述出气口方向在所述第二扩散板上的投影与所述第二扩散板上的至少部分所述第二扩散孔呈部分重叠设置。
5.如权利要求3所述的等离子体产生装置，其特征在于，多...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体产生装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述进气通道包括沿第一方向依次间隔设置的第一通道和第二通道；
3.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述第一扩散板上设有多个第一扩散孔，所述第二扩散板上设有多个第二扩散孔；
4.如权利要求3所述的等离子体产生装置，其特征在于，至少部分所述第一扩散孔沿所述进气口至所述出气口方向在所述第二扩散板上的投影与所述第二扩散板上的至少部分所述第二扩散孔呈部分重叠设置。
5.如权利要求3所述的等离子体产生装置，其特征在于，多个所述第一扩散孔沿所述第一扩散板长度方向间隔排布成至少两排第一扩散孔组，每排所述第一扩散孔组包括沿所述第一扩散板宽度方向间隔排布的多个所述第一扩散孔；
6.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述扩散组件包括第三扩散板，所述第三扩散板设于所述出气口，所述第三扩散...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨靖，刘涛，乐卫平，宋成，张文杰，谢幸光，
申请(专利权)人：深圳市恒运昌真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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