【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器。
技术介绍
1、光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。传统光电传感器在关闭光源后立即恢复至初始状态，对入射光信号没有任何的存储记忆功能。近年来兴起的光电突触探测器兼具感光和一定的存储记忆效果，与人类视网膜类似，可以对入射光信号进行预处理，大大提升后端电路的处理速度，在构建人工视觉系统方面具有重要的应用潜力。
2、此外，为突破传统冯.诺依曼架构的现代计算机系统在能耗及速度提升方面的限制，高度并行、高效、容错、可重构的神经网络系统成为发展下一代计算机的选择之一。开发能够模拟生物突触行为的神经突触器件是实现神经形态计算的重要前提。最早主要是利用电刺激模拟神经突触。近年来，鉴于光刺激具有带宽高、串扰低、无rc延迟等优势，光电突触探测器逐渐成为突触领域的研究热点。然而，目前常见的光电突触探测器仍存在优化空间，以提升光电突触探测器的突触响应特性。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种多色光电突触...
【技术保护点】
1.一种多色光电突触成像电路，其特征在于，包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：
2.根据权利要求1所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的材料包括阴离子元素掺杂的非晶氧化物。
3.根据权利要求2所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的带内缺陷至少包括第一带间缺陷和第一带尾缺陷，所述第一带间缺陷和所述第一带尾缺陷分别与掺杂的所述阴离子元素相关。
4.根据权利要求2所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述阴离子元素包括氮、磷、硫、硒和碲中的至少一种。
5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种多色光电突触成像电路，其特征在于，包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：
2.根据权利要求1所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的材料包括阴离子元素掺杂的非晶氧化物。
3.根据权利要求2所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的带内缺陷至少包括第一带间缺陷和第一带尾缺陷，所述第一带间缺陷和所述第一带尾缺陷分别与掺杂的所述阴离子元素相关。
4.根据权利要求2所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述阴离子元素包括氮、磷、硫、硒和碲中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的材料包括阳离子元素掺杂的非晶氧化物。
6.根据权利要求5所述的多色光电突触成像电路，其特征在于，所述非晶氧化物功能层的带内缺陷包括第二带间缺陷和第二带尾缺陷，所述第二带间缺陷和所述第二带尾缺陷分别与掺杂的所述阳离子元素相关。
7.根据权利要求5所述的多色光电突触成像电路，...
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