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本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种多色光电突触成像电路、芯片及图像传感器。所述光电突触探测器包括多个光电突触单元，所述光电突触单元包括：控制晶体管；光电突触探测器，与所述控制晶体管连接，所述光电突触探测器至少包括阴离子元素掺杂的非晶氧化...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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