【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路工艺制造的，具体涉及一种提高组合套刻量测精确度的方法。
技术介绍
1、在芯片制造过程中，不同的结构层次之间需要进行对准，以形成良好的电性连接，因此，通常都会设计有套刻标记。
2、通常的套刻标记表征两层结构层次之间的套刻情况，组合套刻标记则表征三层结构层次之间的套刻情况，因此，组合套刻标记会存在有三个焦平面。
3、目前的套刻量测只有单次和两次聚焦抓取的量测方式，因此，在对组合套刻标记进行聚焦抓取时，容易导致组合套刻标记不清晰，对于ibo（image-based overlay，基于图形的套刻量测），不清晰的组合套刻标记会导致量测失真。
技术实现思路
1、本申请提供了一种提高组合套刻量测精确度的方法，可以提高组合套刻标记的量测精度。
2、本申请实施例提供了一种提高组合套刻量测精确度的方法，包括：
3、s1：提供一形成有组合套刻标记的晶圆，所述组合套刻标记包括至少三层套刻图形；
4、s2：分别对所述晶圆中的组合套...
【技术保护点】
1.一种提高组合套刻量测精确度的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组合套刻标记包括接触孔层套刻图形、浮栅层套刻图形和有源层套刻图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用套刻量测机台分别对所述晶圆中的组合套刻标记进行N次聚焦抓取。
【技术特征摘要】
1.一种提高组合套刻量测精确度的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组合套刻标记包括接触孔层套刻图形、浮栅层套刻图形和有源层套刻图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王崴，宋振伟，金佩，张其学，王雷，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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