【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，尤其涉及一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、现有技术中，再将电路图形曝光到晶圆之前，需要借助于晶圆上的对准标记进行掩膜版与晶圆之间的光刻对准，在对准过程中，需要根据对准标记在晶圆坐标系下的绝对位置，手动筛选出一部分用于进行最终最准过程的对准标记，但是，手动选择多个对准标记会复杂且费时，特别在对准标记较多时尤为突出，并且对准标记的选择直接影响后需要的曝光流程，不仅影响后续曝光流程效率，还降低了曝光准确度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质，通过预设标记筛选数据自动化的选择出对准系统进行曝光对准的标记，提高后续的光刻对准效和精度。
2、本申请主要包括以下几个方面：
3、第一方面，本申请实施例提供一种光刻对准方法，方法包括：提供一待曝光晶圆，待曝光晶圆表面布局有多个对准标记；获取多个对准标记对应的绝对位置集合，绝对位置集合包括每个对准标记在晶圆坐标系下的绝对...
【技术保护点】
1.一种光刻对准方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设标记筛选数据包括对准标记的筛选区域参数和对准标记之间的间距阈值，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述筛选区域参数包括所述筛选区域对应的第一半径和第二半径，所述第一半径大于所述第二半径，所述第一半径小于晶圆半径，
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以下方式从所述多个候选对准标记中确定多个目标对准标记：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设标记筛选数据还包括标记筛选数量阈值，
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【技术特征摘要】
1.一种光刻对准方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设标记筛选数据包括对准标记的筛选区域参数和对准标记之间的间距阈值，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述筛选区域参数包括所述筛选区域对应的第一半径和第二半径，所述第一半径大于所述第二半径，所述第一半径小于晶圆半径，
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以下方式从所述多个候选对准标记中确定多个目标对准标记：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设标记筛选数据还包括标记筛选数量阈值，
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述多个目标对准标记输入到所述对准系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷民东，郭利娜，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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