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本申请公开了一种提高组合套刻量测精确度的方法，包括：S1：提供一形成有组合套刻标记的晶圆，所述组合套刻标记包括至少三层套刻图形；S2：分别对所述晶圆中的组合套刻标记进行N次聚焦抓取，以得到当层套刻数据和前层套刻数据，所述N等于所述组合套刻标...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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