绝缘栅双极晶体管器件以及实现这种绝缘栅双极晶体管器件的数据传输系统技术方案

一种绝缘栅双极晶体管器件，包括：掺杂有第一类型载流子的第一区域；掺杂有不同于第一类型载流子的第二类型载流子的第二类型载流子的第二区域；掺杂有第一类型载流子的第三区域；掺杂有第二类型载流子的第四区域；与第一区域电连接的第一发射极端子、以及与第三区域和第四区域电连接的第二集电极端子；以及设置在第三区域上的栅极结构，栅极结构的一端与第二区域相邻，另一端与第四区域相邻；以及二极管结构，二极管结构具有与集电极端子电连接的第一二极管结构端子和与栅极结构的栅极端子电连接的第二二极管结构端子；其中，二极管结构是具有不大于200毫微微法拉的总电容的成对反并联二极管结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种绝缘栅双极晶体管器件以及实现这种绝缘栅双极晶体管器件的数据传输系统。特别地，但是不是排他地，本公开属于涉及静电放电(esd)或电过载(eos)保护的应用。

技术介绍

1、静电放电是包括数据传输系统的电子系统范围内遇到的问题。当在数据传输系统中发生esd事件时，如果放电没有被系统适当地耗散，则数据传输系统的部件可能被损坏。

2、半导体控制的整流器scr由于其深的快速恢复以及由此产生的低箝位电压而普遍用于esd保护。触发电压可以是高的，特别是当需要低电容以便正常操作时。为了降低触发电压，一种公知的解决方案实现了外部触发，即，使用具有低导通电压的电流源来正向偏置scr的一个发射极基极结。对于非常低的触发电压，二极管串可以用于产生必要的触发电流。

3、因此，esd保护器件需要具有低触发电压，可能没有快速恢复和低器件电容。开路基极晶体管通常具有快速恢复，但可被调节到低电容。mosfet具有非常高的电容(由于其尺寸)。此外，esd保护器件通常是两个管脚器件，这意味着栅极端子需要连接到端子之一，这由于薄的栅极氧化物而进一步增加了电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种绝缘栅双极晶体管器件，包括：

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于100毫微微法拉。

3.根据前述权利要求中任一项所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于50毫微微法拉。

4.根据前述权利要求中任一项所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于10毫微微法拉。

5.一种电流控制半导体系统，包括：

6.根据权利要求5所述的电流控制半导体系统，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于100毫微微法拉。

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【技术特征摘要】

1.一种绝缘栅双极晶体管器件，包括：

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于100毫微微法拉。

3.根据前述权利要求中任一项所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于50毫微微法拉。

4.根据前述权利要求中任一项所述的绝缘栅双极晶体管器件，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于10毫微微法拉。

5.一种电流控制半导体系统，包括：

6.根据权利要求5所述的电流控制半导体系统，其中，所述成对反并联二极管结构的总电容不大于100毫微微法拉。

7.根据权利要求5和6中任一项所述的电流控制半导体系...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍兰·斯特芬，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：