半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含：漏区，以第一导电型的半导体形成；漂移层，以所述第一导电型的半导体形成于所述漏区上；多个沟槽条带，以第二导电型半导体形成于所述漂移层上，并包括长度方向；在多个所述沟槽条带中，每一所述沟槽条带的长度方向至少设置在两个方向。借此，可提供一种能抑制晶圆翘曲，并且能降低晶圆处理的难度、让制作晶圆厚度更薄的半导体变得容易、降低导通电阻与改善散热性的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、诸如绝缘栅极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)及mosfet(mos型场效晶体管)等功率半导体装置(功率装置)，广泛地应用于工业用马达或汽车用马达等逆变器电路(inverter circuit)、大容量服务器电源，及不间断电源等半导体开关。前后导电型功率半导体装置中，为了改善以导通特性等为代表的通电性能，会将半导体基板加工减薄。近年来，为了改善成本和特性，通过浮动区域(floating zone，fz)方法制作的晶圆材料，采用减薄至约50μm的超薄晶圆制程来制造半导体装置。然而，晶圆薄化与电极增厚的趋势，会造成晶圆制程中的晶圆翘曲问题。具体而言，在晶圆处理的过程中一旦晶圆边缘接触到非预期的位置，就会产生晶圆缺口或破裂。因此，带来产量低下与制造成本变高的问题。

2、专利文献1(日本特开2011-222898)公开一种防止晶圆翘曲的技术。一旦借由真空镀膜法在半导体晶圆的背面形成背面电极，基于半导体晶圆在背面电极成膜时的温度差所产生的应力，表面侧会变成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述漏区与所述漂移层主要由碳化硅形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包含栅电极与栅极绝缘膜，所述栅电极包括栅极焊盘、与所述栅极焊盘直接连接的栅电极布线，以及作为所述多个沟槽条带的多个栅电极沟槽条带，多个所述栅电极沟槽条带与所述栅极焊盘或所述栅电极布线直接连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在多个所述沟槽条带中，每一所述沟槽条带的长度方向至少设置在三个方向。

5.根据权利要求3所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述漏区与所述漂移层主要由碳化硅形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包含栅电极与栅极绝缘膜，所述栅电极包括栅极焊盘、与所述栅极焊盘直接连接的栅电极布线，以及作为所述多个沟槽条带的多个栅电极沟槽条带，多个所述栅电极沟槽条带与所述栅极焊盘或所述栅电极布线直接连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在多个所述沟槽条带中，每一所述沟槽条带的长度方向至少设置在三个方向。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：在多个所述栅电极沟槽条带中，每一所述栅电极沟槽条带的长度方向设置在三个方向。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置是四角形，所述栅极焊盘设置在所述半导体装置的任意一边的中央区域。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置是四角形，所述栅极焊盘设置在所述半导体装置的任意一角的附近区域。

8.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：所述漏区与所述漂移层主要由4h碳化硅形成，所述三个方向分别略平行于所述4h碳化硅的六方晶体的(11-20)面、(1-210)面、(-2110)面。

9.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于：所述漏区与所述漂移层主要由4h碳化硅形成，所述三个方向分别略平行于所述4h碳化硅的六方晶体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：绫淳，中村浩，塩井伸一，
申请(专利权)人：三安日本科技株式会社，
类型：发明
国别省市：