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一种半导体装置，包含：漏区，以第一导电型的半导体形成；漂移层，以所述第一导电型的半导体形成于所述漏区上；多个沟槽条带，以第二导电型半导体形成于所述漂移层上，并包括长度方向；在多个所述沟槽条带中，每一所述沟槽条带的长度方向至少设置在两个方向。...
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