【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体器件包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的集成电路。随着半导体器件的尺寸和设计规则逐渐减小，mosfet的尺寸也日益按比例缩小。mosfet的按比例缩小可能使半导体器件的工作特性劣化。因此，已经进行了各种研究，以开发出具有优异性能同时克服半导体器件的高度集成所引起的限制的半导体器件的制造方法。
技术实现思路
1、专利技术构思的一些实施例提供了一种具有改进的电性质和提高的可靠性的半导体器件。
2、专利技术构思的一些实施例提供了一种制造具有改进的电性质和提高的可靠性的半导体器件的方法。
3、根据专利技术构思的一些实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括有源图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述有源图案上；有源接触，所述有源接触位于所述源极/漏极图案上；下电力线路，所述下电力线路位于所述衬底中；下接触，所述下接触将...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述主体部分为沿一个方向延伸的直线形。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层包括金属硅化物层或半导体外延层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述主体部分为沿一个方向延伸的直线形。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层包括金属硅化物层或半导体外延层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电力输送网络层被配置为对所述下电力线路施加源极电压或漏极电压。
11.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：任廷爀，金完敦，李贤培，崔孝锡，金成焕，朴俊起，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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