【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发射器，包括：第一放大单元，包括第一放大器和第二放大器，所述第一放大器包含第一ＮＭＯＳ晶体管和第一ＰＭＯＳ晶体管，具有连接所述第一ＮＭＯＳ晶体管和所述第一ＰＭＯＳ晶体管的公共源极，所述第二放大器包含第二ＰＭＯＳ晶体管和第二ＮＭＯＳ晶体管，具有连接所述第二ＰＭＯＳ晶体管和所述第二ＮＭＯＳ晶体管的公共漏极，并且，所述第二放大器与所述第一放大器并联连接；第二放大单元，包括第三放大器和第四放大器，所述第三放大器包含第三ＮＭＯＳ晶体管和第三ＰＭＯＳ晶体管，具有连接所述第三ＮＭＯＳ晶体管和所述第三ＰＭＯＳ晶体管的公共源极，所述第四放大器包含第四ＰＭＯＳ晶体管和第四ＮＭＯＳ晶体管，具有连接所述第四ＰＭＯＳ晶体管和所述第四ＮＭＯＳ晶体管的公共漏极，并且，所述第三放大器与所述第四放大器并联连接；以及差分输出节点，包括连接至所述第一放大单元的输出级的正节点以及连接至所述第二放大单元的输出级的负节点，所述第一放大器的公共源极和所述第二放大器的公共漏极共同连接至所述正节点，所述第三放大器的公共源极和所述第四放大器的公共漏极共同连接至所述负节点。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张大中，林旭熙，尹永彬，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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