【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种x射线源以及一种对于x射线源的方法。
技术介绍
1、x射线辐射可以通过让电子束撞击到靶标材料上而产生。x射线辐射可以作为来自靶标材料的轫致辐射或特性线发射而产生。x射线源的性能尤其取决于由电子束与靶标之间的相互作用产生的x射线辐射的焦斑的特性。通常,致力于获取x射线辐射更高的亮度和更小的焦斑,这需要改进对电子束以及其与靶标的相互作用的控制。特别地,已经进行了若干次尝试以更准确地确定和控制撞击靶标的电子束的束斑大小和形状。
2、维纳尔(wehnelt)圆柱电极或栅极帽(或简称为维纳尔电极)是电子发射单元中的电极,其用于控制由来自阴极(特别是来自热离子阴极)的电子的发射而产生的电子束。维纳尔电极的使用在本领域中通常是已知的,例如在us 2017/0148605中披露的。
技术实现思路
1、本公开涉及一种使用维纳尔电极的栅极偏压以补偿阴极老化的x射线源以及一种相关方法。本文提出的专利技术原理通过使用维纳尔电极的栅极偏压来补偿这种阴极老化来延长阴极的有效寿命。
【技术保护点】
1.一种X射线源,包括:
2.根据权利要求1所述的X射线源,其中,该指示该电子束的宽度的量是该电子束的截面强度分布或者该电子束在最大强度的预定部分处的宽度、比如该电子束的半峰全宽。
3.根据权利要求1所述的X射线源,其中,该用于确定指示该电子束的宽度的量的布置被配置为在该电子光学器件布置下游的位置处确定该电子束的截面强度分布或宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的X射线源,其中,该用于确定指示该电子束的宽度的量的布置被配置为:
5.根据权利要求4所述的X射线源,其中,该传感器选自由以下各项组成的组:
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...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种x射线源,包括:
2.根据权利要求1所述的x射线源,其中,该指示该电子束的宽度的量是该电子束的截面强度分布或者该电子束在最大强度的预定部分处的宽度、比如该电子束的半峰全宽。
3.根据权利要求1所述的x射线源,其中,该用于确定指示该电子束的宽度的量的布置被配置为在该电子光学器件布置下游的位置处确定该电子束的截面强度分布或宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的x射线源,其中,该用于确定指示该电子束的宽度的量的布置被配置为:
5.根据权利要求4所述的x射线源,其中,该传感器选自由以下各项组成的组:
6.根据前述权利要求中任一项所述的x射线源,其中,该用于确定指示该电子束的宽度的量的布置包括孔径和用于测量从该阴极发射的电流穿过该孔径的部分的装置。
7.根据前述权利要求中任一项所述的x射线源,其中,该控制器被配置为基于针对该电子光学器件布置的至少两种不同焦点设置所确定的该指示该电子束的宽度的量来计算该取决于该电子束在该电子光学器件布置的入口处的发散度的量。
8.根据前述权利要求中任一项所述的x射线源,其中,该阴极包括lab6晶体。
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【专利技术属性】
技术研发人员:波尔·塔克曼,汤米·图希玛,乌尔夫·伦德斯托姆,
申请(专利权)人:伊克斯拉姆公司,
类型:发明
国别省市:
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